原料存储罐及半导体设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种原料存储罐及半导体设备。原料存储罐包括存储罐本体、加热装置和盒盖；存储罐本体用于容纳制程原料；加热装置位于存储罐本体上，用于加热制程原料以加快制程原料的挥发；盒盖位于存储罐本体上，盒盖上设置有至少一个供气口，挥发的制程原料通过供气口导出存储罐本体。本实用新型专利技术的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善其在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本实用新型专利技术可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质；采用本实用新型专利技术的半导体设备，可有效缩短制程工艺时间，可显著提高生产效率及生产良率，降低生产成本。

Raw Material Storage Tank and Semiconductor Equipment

【技术实现步骤摘要】
原料存储罐及半导体设备
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种原料存储罐及半导体设备。
技术介绍
光刻工艺是半导体芯片制造过程中非常重要的一道工艺，它是利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到晶圆表面以形成有效图形窗口或功能图形的过程，一般要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。这其中，光刻胶的涂布质量直接影响到光刻图形的质量，只有均匀的涂胶才能确保后续光刻图形的品质。但现有的光刻胶绝大多数是疏水性的，而晶圆表面通常是亲水性的，这造成光刻胶和晶圆的黏合性较差，使得显影时显影液会侵入光刻胶和晶圆的连接处,容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形品质下降甚至图形转移失败。为改善此类问题，增粘剂被大量使用，在涂布腔室内将诸如HMDS(六甲基二硅胺烷)之类的增粘剂经加热生成以硅氧烷为主体的化合物涂到晶圆表面后，可成功地将晶圆表面由亲水性变为疏水性，使得晶圆和光刻胶能很好地黏合，有效提升光刻图形品质。但现有技术中喷涂增粘剂主要使用液体喷涂或借助载气携带增粘剂液体进行喷涂的方式。液体喷涂容易产生涂布不均的问题，而借助载气携带增粘剂液体进行喷涂的方式中，增粘剂的含量很低，使得涂布时间较长(一般单片晶圆单次喷涂时间在一分钟以上)，导致设备产出率下降，生产成本上升。此外，因增粘剂液体在载气中的分布不均匀还容易导致涂布质量下降，影响光刻图形品质。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种原料存储罐及半导体设备，用于解决现有技术中，因采用液体涂布容易产生涂布不均，而载气携带增粘剂液体喷涂的方式中，增粘剂的含量很低，使得涂布时间延长，导致设备产出率下降、生产成本上升，且增粘剂液体在载气中的分布不均匀导致涂布质量下降影响光刻图形品质等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种原料存储罐，包括存储罐本体、加热装置和盒盖；所述存储罐本体用于容纳制程原料；所述加热装置位于所述存储罐本体上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；所述盒盖位于所述存储罐本体上，所述盒盖上设置有供气口，挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。可选地，所述制程原料包括增粘剂，所述加热装置包括电阻加热器。可选地，所述加热装置位于所述存储罐本体的外围且环绕包覆所述存储罐本体的侧壁及底部。可选地，所述存储罐本体和所述加热装置之间具有间隙，所述间隙内填充有导热介质。可选地，所述盒盖上还设置有至少一个载气口，所述载气口通过载气管路连接至载气源，用于将载气通入至所述存储罐本体内以将挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。可选地，所述载气口和所述供气口均包括多个，多个所述载气口和多个所述供气口沿所述盒盖的周向均匀间距分布。可选地，所述原料存储罐还包括保温壳，位于所述加热装置的外围。可选地，所述原料存储罐还包括温控装置，所述温控装置与所述加热装置相连接，用于控制所述加热装置的导通或断开。在另一可选方案中，所述原料存储罐还包括气体感应装置和温控装置，所述气体感应装置设置于所述载气管路上，用于感应所述载气管路内的载气流量，所述温控装置与所述气体感应装置相连接，以根据所述气体感应装置感应的载气流量控制所述加热装置的导通或断开。本技术还提供一种半导体设备，所述半导体设备包括如上述任一方案中所述的原料存储罐，以及制程腔室，所述制程腔室与所述原料存储罐的所述供气口通过供应管路相连接。可选地，所述供应管路上设置有加热装置。如上所述，本技术的原料存储罐及半导体设备，具有以下有益效果：本技术的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善其在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本技术可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质；采用本技术的半导体设备，可以有效缩短制程工艺时间，显著提高生产效率和生产良率，降低生产成本。附图说明图1显示为本技术实施例一的原料存储罐的结构示意图。图2显示为本技术实施例一的原料存储罐的气体感应装置和加热装置的工作模式示意图。图3显示为本技术实施例二的半导体设备的结构示意图。图4显示为本技术实施例三的半导体设备的结构示意图。元件标号说明11存储罐本体12加热装置13盒盖131载气口132载气管路133压力传感器135供气口136供应管路137阀门138排气口139排气管路14间隙15温控装置16气体感应装置17保温壳2制程腔室21载台22喷涂装置23加热灯管24质量流量计25排气口3加热装置具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1至图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质
技术实现思路
的变更下，当亦视为本技术可实施的范畴。且出于使图面简洁的目的，本说明书的图示中对同样的结构一般不做重复标记。实施例一图1示例了本技术实施例一的原料存储罐。如图1所示，本技术提供一种原料存储罐，包括存储罐本体11、加热装置12和盒盖13；所述存储罐本体11用于容纳制程原料；所述加热装置12位于所述存储罐本体11上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；所述盒盖13位于所述存储罐本体11上，所述盒盖13上设置有供气口135，挥发的所述制程原料通过所述供气口135导出所述存储罐本体11。本技术的原料存储罐可以极大加快制程原料的挥发速度，并由此改善其在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短后续的制程工艺时间，有助于提高设备产出率，且本技术可以有效改善制程原料蒸汽的均匀性，有利于提高光刻图形品质。采用本技术的半导体设备，可有效缩短制程工艺时间，可显著提高生产效率和生产良率，降低生产成本。作为示例，所述原料存储罐适用于各种制程原料的储存，尤其是光刻工艺中的各种有机溶剂的储存，比如HMDS(六甲基二硅胺烷)之类的增粘剂的储存，现有技术中在室温下采用载气携带增粘剂液体形成的蒸汽浓度较低，使得涂布时间较长(一般单片晶圆单次喷涂时间在一分钟左右)，导致设备产出率下降，生产成本上升，此外，因增粘剂液体在载气中的分布不均匀还容易导致涂布质量下降，影响光刻图形品质，而本技术针对上述问题提出了改善对策。采用本技术的原料存储罐可以加快增粘剂的挥发，挥发的增粘剂以气态形式存在，可以提高增粘剂在饱和蒸气压中的浓度，有助于缩短喷涂时间，提高设备产出率，同时加热挥发后形成的增粘剂蒸汽流动性更强，因而其浓度分布更加均匀，有助于改善晶圆和光刻胶的黏合性，有效提升光刻图形的品质。当然，除增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原料存储罐，其特征在于，包括：存储罐本体，用于容纳制程原料；加热装置，位于所述存储罐本体上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；盒盖，位于所述存储罐本体上，所述盒盖上设置有至少一个供气口，挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。

【技术特征摘要】
1.一种原料存储罐，其特征在于，包括：存储罐本体，用于容纳制程原料；加热装置，位于所述存储罐本体上，用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发；盒盖，位于所述存储罐本体上，所述盒盖上设置有至少一个供气口，挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。2.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述制程原料包括增粘剂，所述加热装置包括电阻加热器。3.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述加热装置位于所述存储罐本体的外围且环绕包覆所述存储罐本体的侧壁及底部。4.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述存储罐本体和所述加热装置之间具有间隙，所述间隙内填充有导热介质。5.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述原料存储罐还包括保温壳，位于所述加热装置的外围。6.根据权利要求1所述的原料存储罐，其特征在于：所述盒盖上还设置有至少一个载气口，所述载气口通过载气管路连接至载气源，用于将载气通入至所述存储罐...

【专利技术属性】
技术研发人员：李生骄，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34