图像传感器封装和图像感测模块制造技术

图像传感器封装包括基板；图像传感器芯片，设置在所述基板上；以及外力吸收层，设置在所述基板和所述图像传感器芯片之间并具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述图像传感器封装还包括粘合剂层，该粘合剂层被配置为将所述外力吸收层的第二表面粘合到所述基板。粘合剂层具有第一模量，且外力吸收层具有与第一模量不同的第二模量。

Image Sensor Packaging and Image Sensing Module

【技术实现步骤摘要】
图像传感器封装和图像感测模块相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月4日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0165058的优先权，其全部公开通过引用合并于此。
本公开涉及图像传感器，更具体地，涉及图像传感器封装和图像感测模块。
技术介绍
图像传感器将光学图像转换为电信号。随着计算机工业和通信工业的发展，对图像传感器的需求日益增加，所述图像传感器在诸如数码相机、摄录机、个人通信系统(PCS)、游戏设备、监视相机和内窥镜的各种应用中具有改进性能。常用的图像传感器芯片可以包括电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。特别地，CMOS图像传感器正在被广泛使用，因为它可以通过使用传统的半导体制造技术来降低制造成本，并且它可以通过改善信号处理算法来改善图像质量。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例实施例，图像传感器封装包括基板；图像传感器芯片，设置在所述基板上；以及外力吸收层，设置在所述基板和所述图像传感器芯片之间并具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述图像传感器封装还包括粘合剂层，该粘合剂层被配置为将所述外力吸收层的第二表面粘合到所述基板。粘合剂层具有第一模量，且外力吸收层具有与第一模量不同的第二模量。根据本专利技术构思的示例性实施例，图像传感器封装包括基板和外力吸收层，外力吸收层设置在基板上并具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面面向基板。图像传感器封装还包括：粘合剂层，插入在外力吸收层和基板之间，以将外力吸收层的第一表面粘合到基板；以及模塑部分，设置在外力吸收层的第二表面上并包括存储器芯片和热片(thermaldie)。图像传感器封装附加地包括图像传感器芯片，与所述存储器芯片电连接并设置在所述模塑部分上。所述粘合剂层具有第一模量，且所述外力吸收层具有小于所述第一模量的第二模量。根据本专利技术构思的示例性实施例，图像感测模块包括基板，该基板具有第一区域、围绕第一区域的第二区域和围绕第二区域的第三区域。图像感测模块还包括粘合剂层，该粘合剂层具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一表面粘合到基板的第一区域。图像感测模块附加地包括外力吸收层，该外力吸收层粘合到粘合剂层的第二表面；模塑层，设置在外力吸收层上；图像传感器芯片，设置在模塑层上，透镜，与图像传感器芯片间隔开并设置在图像传感器芯片上方；以及支撑构件，设置在基板的第三区域中并支撑透镜。所述粘合剂层具有第一模量，且所述外力吸收层具有小于所述第一模量的第二模量。根据本专利技术构思的示例性实施例，图像传感器封装包括：基板；以及粘合剂层，设置在基板上并具有第一模量。图像传感器封装还包括外力吸收层，设置在粘合剂层上并具有第二模量。外力吸收层延伸超出粘合剂层的侧表面。图像传感器封装附加地包括模塑层，设置在外力吸收层上；以及图像传感器芯片，设置在模塑层上。附图说明由于通过在结合附图考虑时参考以下具体实施方式使得本公开及其很多随附方面变得更好理解，因此可以获得对本专利技术以及很多随附优点的更完整的理解，在附图中：图1是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图；图2是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图；图3是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图；图4是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图；图5是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的外力吸收层的模量的改变对施加到图像传感器芯片的应力的影响的曲线图；图6是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像感测模块的平面图；图7是根据本专利技术构思的示例性实施例的沿图6的线A-A′截取的横截面图；图8是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的外力吸收层的厚度的改变对施加到图像传感器芯片的应力的影响的曲线图；图9是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的制造图像传感器封装的方法的示例的流程图；图10是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的生产被安装在图像传感器封装上的图像传感器芯片的过程的示意图；以及图11是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的包括图6和图7中示出的图像感测模块的图像感测系统的示意性配置的框图。具体实施方式下文中将参照附图更全面地描述本专利技术构思的示例性实施例。图1是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图。图2是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图。图3是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图。图4是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图。参考图1，图像传感器封装100可以包括基板110、图像传感器芯片120、模塑层130、外力吸收层140和粘合剂层150。应理解，本专利技术构思不限于此。例如，可以包括其他元件或层，或者可以省略列出的元件或层中的一些。基板110可以在其中包括电路，使得电路可以电连接到图像传感器芯片120和设置在基板110上的外部元件。例如，基板110可以是其中具有电路的有机基板、硅基板、体硅或绝缘体上硅(SOI)。图像传感器芯片120可以将从外部源接收的光信号转换为图像信号。在本专利技术构思的示例性实施例中，图像传感器芯片120可以包括有源像素传感器(APS)、逻辑单元以及屏蔽层，APS响应于入射光产生光信号并响应于光信号产生信号电荷；逻辑单元邻近APS设置以处理从APS发送的输出信号；屏蔽层设置在逻辑单元上方以阻挡电磁波。图像传感器芯片120的APS可以包括多个像素。每个像素可以包括诸如光电二极管的光电转换元件，用于感测入射光以将其转换为信号电荷。APS还可以包括多个晶体管，用于通过对信号电荷进行放大或切换来处理所述信号电荷。图像传感器芯片120的逻辑单元可以包括驱动电路、模数转换器(ADC)以及图像传感器处理器(ISP)，驱动电路用于驱动APS的像素中的每一个像素；ADC用于将信号电荷转换为数字信号；ISP用于通过使用数字信号形成图像信号。除了APS之外，可以在逻辑单元上设置图像传感器芯片120的屏蔽层，以阻挡外部源电磁波读取图像传感器芯片120。根据本专利技术构思的示例性实施例，图像传感器芯片120可以是CMOS图像传感器芯片，由包括APS的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、逻辑单元和屏蔽层组成。然而，应理解，这仅仅是说明性的。图像传感器芯片120可以是CCD图像传感器芯片，其包括电荷耦合器件(CCD)，CCD具有比CMOS图像传感器芯片更大的数据存储容量和更高的功耗。可以在基板110和图像传感器芯片120之间设置模塑层130。模塑层130可以具有彼此相对的第一(例如上)表面和第二(例如下)表面。模塑层130的第一表面可以与图像传感器芯片120耦接。模塑层130的第二表面可以面向基板110。模塑层130可以包括热片131、存储器芯片132和模塑部分133。应理解，本专利技术构思不限于此。例如，可以将附加的元件或层添加到模塑层130，或者可以省略列出的元件或层中的一些。可以将包括在模塑层130中的存储器芯片132实现为易失性存储器，例如动态RAM(DRAM)。然而，应理解，这仅仅是说明性的。可以将存储器芯片132实现为随机存取存储器(RAM)、静态RAM(SRAM)、静态随机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器封装，包括：基板；图像传感器芯片，设置在所述基板上；外力吸收层，设置在所述基板和所述图像传感器芯片之间，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及粘合剂层，被配置为将所述外力吸收层的第二表面粘合到所述基板，其中所述粘合剂层具有第一模量，且所述外力吸收层具有与所述第一模量不同的第二模量。

【技术特征摘要】
2017.12.04 KR 10-2017-01650581.一种图像传感器封装，包括：基板；图像传感器芯片，设置在所述基板上；外力吸收层，设置在所述基板和所述图像传感器芯片之间，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及粘合剂层，被配置为将所述外力吸收层的第二表面粘合到所述基板，其中所述粘合剂层具有第一模量，且所述外力吸收层具有与所述第一模量不同的第二模量。2.根据权利要求1所述的图像传感器封装，还包括：模塑层，具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，其中所述第三表面设置在所述外力吸收层的第一表面上，其中，所述图像传感器芯片设置在所述模塑层的第四表面上。3.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中所述模塑层包括模塑部分、与所述图像传感器芯片电连接的存储器芯片和热片。4.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中所述外力吸收层的第一表面的面积等于所述模塑层的第三表面的面积。5.根据权利要求4所述的图像传感器封装，其中所述外力吸收层的第二表面的面积等于设置在所述第二表面上的所述粘合剂层的第五表面的面积。6.根据权利要求4所述的图像传感器封装，其中所述外力吸收层的第二表面的面积与设置在所述第二表面上的所述粘合剂层的第五表面的面积不同。7.根据权利要求6所述的图像传感器封装，其中所述外力吸收层的第二表面的面积大于所述粘合剂层的第五表面的面积。8.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中所述外力吸收层的第一表面的面积与所述模塑层的第三表面的面积不同。9.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其中所述外力吸收层的第二表面的面积大于设置在所述第二表面上的所述粘合剂层的第五表面的面积，且其中，所述模塑层的第三表面的面积等于所述粘合剂层的第五表面的面积。10.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其中所述外力吸收层的第二表面的面积大于设置在所述第二表面上的所述粘合剂层的第五表面的面积，且其中，所述模塑层的第三表面的面积大于所述粘合剂层的第五表面的面积。11.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中所述第二模量小于所述第一模量。12.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中所述外力吸收层包括具有所述第二模量的聚酰亚胺层。13.一种图像传感器封装，包括：基板；外力吸收层，设置在所述基板上并具有第一表面和与所述第一表面相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：金永培，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR