薄膜封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种薄膜封装结构，该薄膜封装结构包括：第一无机封装层，设置于有机发光二极管器件上，并覆盖有机发光二极管，第一无机封装层包括亲水段和疏水段，亲水段的位置是与有机发光二极管位置相对应，疏水段设置在亲水段两侧；有机封装层，设置于第一无机封装层上，有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构；以及第二无机封装层，设置于第一无机封装层及有机封装层上。本实用新型专利技术通过对薄膜封装结构中的第一无机封装层进行紫外光改性，利用亲水段和疏水段进行搭配，最终在有机发光二极管的发光区域形成的有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构，进而提高有机发光二极管的发光率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜封装结构
本技术涉及薄膜封装
，特别是涉及一种应用于有机发光二极管器件的薄膜封装，以提高有机发光二极管的出光率的薄膜封结构。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)器件制备完成后，为防止外界环境中的水汽和氧气侵入器件内部，影响其使用寿命，通常还需要对OLED器件进行封装，薄膜封装(TFE)是目前常见的OLED封装技术之一，其主要采用无机层/有机层/无机层的堆叠方式来形成OLED器件的封装层，其中所述无机薄膜可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、溅射(Sputter)或脉冲激光沉积(PLD)等方法制备。随着新材料和新工艺的不断开发，有机发光二极管(OLED)的理论内量子效率已经接近100％，但其光相合效率仍然很低。因为基板及堆叠的无机层/有机层/无机层的折射率差异，OLED发出的光通量主要有以下三个去向:波导模式、基板模式、及空气模式，而通常只有20％左右的光能出射到器件外。为了提高OLED的出光率，通常所采用的方法包括减少不发光模式、减少全反射和减少波导效应，其中减少全反射可以通过增加覆盖层的粗糙度，涂布微球粒和覆盖微透镜来实现。现有技术中通常所采用的做法是在薄膜封装(TFE)完成后，在薄膜封装(TFE)结构上的第二无机封装层上铺设一层疏水薄膜，并在疏水薄膜上形成数个呈阵列排布的球形微透镜，通过形成的球形微透镜阵列来提高OLED的出光率。但是相邻的两个球形微透镜之间存在一定间隙，水氧可从球形微透镜的间隙透过，对有机发光二极管(OLED)器件封装增强效果不明显。同时，由于现有技术中的疏水薄膜的光透过率不可能达到100％，因此，在薄膜封装(TFE)结构上增设一层疏水薄膜，对OLED的出光率存在一定影响，不仅提高生产成本，而且还无法达到理想的提高OLED的出光率的效果。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种薄膜封装结构，以解决上述技术问题，具体的技术方案如下：一种薄膜封装结构，应用于有机发光二极管器件的薄膜封装，以提高有机发光二极管的出光率，其中薄膜封装结构包括：第一无机封装层，设置于有机发光二极管器件上，并覆盖有机发光二极管，第一无机封装层包括亲水段和疏水段，亲水段的位置是与有机发光二极管位置相对应，疏水段设置在亲水段两侧；有机封装层，设置于第一无机封装层上，有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构；以及第二无机封装层，设置于第一无机封装层及有机封装层上。在一种可能的设计中，有机发光二极管器件还包括基板、像素限定层和间隙控制层，有机发光二极管设置于基板上，像素限定层设置于基板上，像素限定层位于有机发光二极管两侧，间隙控制层设置于像素限定层上。在一种可能的设计中，第一无机封装层设置于基板上，并且第一无机封装层覆盖有机发光二极管、像素限定层及间隙控制层。在一种可能的设计中，第一无机封装层的材质为二氧化钛基材料或硅基材料。在一种可能的设计中，有机封装层是以有机墨水为材料，通过旋涂法或喷涂法涂布在第一无机封装层上形成微透镜结构。在一种可能的设计中，微透镜结构的上端面为半圆形曲面，并且半圆形曲面的直径与有机发光二极管的宽度相对应。本技术与现有技术相比具有的优点有：1、本技术通过对薄膜封装结构中的第一无机封装层进行紫外光改性，利用亲水段和疏水段进行搭配，最终在有机发光二极管的发光区域形成的有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构，进而提高有机发光二极管的发光率；2、本技术的薄膜封装结构中的有机发光二极管的发光区域为亲水性，两侧为疏水性，进而使得形成的微透镜结构为一个整体的半圆形微透镜结构，由于半圆形微透镜结构的厚度比现有技术的薄膜封装结构中的有机封装层要厚，进而封装效果更好。附图说明利用附图对本技术作进一步说明，但附图中的内容不构成对本技术的任何限制。图1是本技术一实施例的薄膜封装结构封装在有机发光二极管器件上的结构示意图。图2是本技术一实施例的有机发光二极管器件的结构示意图。图3是本技术一实施例的第一无机封装层形成在有机发光二极管器件上的结构示意图。图4是本技术一实施例的紫外光照射第一无机封装层时的结构示意图。图5是本技术一实施例的紫外光照射第一无机封装层后的结构示意图。图6是本技术一实施例的有机封装层形成在第一无机封装层上的结构示意图。图7是本技术一实施例的薄膜封装方法的流程示意图。具体实施方式关于本文中所使用之“第一”、“第二”等，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本申请，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已。本技术的一实施例中揭露了一种薄膜封装结构1，请参考图1-6所示，应用于有机发光二极管器件2的薄膜封装，以提高有机发光二极管21的出光率，薄膜封装结构1包括第一无机封装层11、有机封装层12和第二无机封装层13，其中：请参考图5所示，第一无机封装层11设置于有机发光二极管器件2上，并覆盖有机发光二极管21，第一无机封装层11包括亲水段111和疏水段112，请参考图4所示，本实施例公开的在第一无机封装层11上形成亲水段111和疏水段112的方式是，提供一呈亲水性的第一无机封装层11，然后用紫外光4照射第一无机封装层11，使第一无机封装层11被照射部分由亲水性变为疏水性，进而在第一无机封装层11上形成亲水段111和疏水段112，但并不以此为限，本领域技术人员可以根据本技术的教导选择其他的形成方式。亲水段111的位置是与有机发光二极管21位置相对应，疏水段112设置在亲水段111两侧，以使形成的微透镜结构位于有机发光二极管21的上方，并通过微透镜结构汇聚有机发光二极管21发出的光线，进而提高有机发光二极管21的出光率。在一优选实施例中，请参考图2所示，有机发光二极管器件2还包括基板22、像素限定层23和间隙控制层24，有机发光二极管21设置于基板22上，像素限定层23设置于基板22上，像素限定层23位于有机发光二极管21两侧，间隙控制层24设置于像素限定层23上，然有机发光二极管器件2的结构并不局限于此，本领域技术人员可以根据本技术的教导选择其他结构的有机发光二极管器件2。在一优选实施例中，请参考图3及图5所示，第一无机封装层11设置于基板22上，并且第一无机封装层11覆盖有机发光二极管21、像素限定层23及间隙控制层24，以实现对有机发光二极管21的封装，防止水氧侵入有机发光二极管21，进而提高有机发光二极管器件2的使用寿命。在一优选实施例中，第一无机封装层11的材质为二氧化钛基材料或硅基材料，二氧化钛基材料或硅基材料是由晶粒小于10nm的球形颗粒组成，表面均匀，结构致密，具有平整的组织结构，能显著降低由二氧化钛基材料或硅基材料制成的薄膜的接触角，增强薄膜的亲水性，进而使二氧化钛基材料或硅基材料制成的第一无机封装层11具有较强的亲水性。同时，二氧化钛在紫外光4照射下，易失活、凝聚，导致其晶粒变大，从而增大薄膜的接触角，使被紫外光4照射处由亲水性变为疏水性。因此，由二氧化钛基材料或硅基材料制成的第一无机封装层11可以通过紫外光4照射，使第一无机封装层11上形成亲水段111和疏水段112，然第一无机封装层11的材质并不局限于此，本领域技术人员可以根据本技术的教导选择本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜封装结构，应用于有机发光二极管器件的薄膜封装，以提高有机发光二极管的出光率，其特征在于，所述薄膜封装结构包括：第一无机封装层，设置于所述有机发光二极管器件上，并覆盖所述有机发光二极管，所述第一无机封装层包括亲水段和疏水段，所述亲水段的位置是与所述有机发光二极管位置相对应，所述疏水段设置在所述亲水段两侧；有机封装层，设置于所述第一无机封装层上，所述有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构；以及第二无机封装层，设置于所述第一无机封装层及所述有机封装层上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜封装结构，应用于有机发光二极管器件的薄膜封装，以提高有机发光二极管的出光率，其特征在于，所述薄膜封装结构包括：第一无机封装层，设置于所述有机发光二极管器件上，并覆盖所述有机发光二极管，所述第一无机封装层包括亲水段和疏水段，所述亲水段的位置是与所述有机发光二极管位置相对应，所述疏水段设置在所述亲水段两侧；有机封装层，设置于所述第一无机封装层上，所述有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构；以及第二无机封装层，设置于所述第一无机封装层及所述有机封装层上。2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述有机发光二极管器件还包括基板、像素限定层和间隙控制层，所述有机发光二极管设置于所述基板上，所述像素限定层设置于所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳攀，
申请(专利权)人：陕西坤同半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61