一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，本实用新型专利技术涉及半导体晶圆技术领域，底座左侧套接有排水管，且托板顶端固定有与其为一体的托盘，托盘顶端开有放置槽，且托板左右两侧均焊接有撑柱，撑柱底端均与底座相接触，且底座顶端嵌接有外壳，外壳前端铰接有透明板，可晶圆表面的清洗液可快速的处理掉，不易影响生产效率，传感器嵌入设置在外壳右侧顶端，且传感器左侧电性连接有感应探头，感应探头左侧套接有遮挡块，且遮挡块外壁嵌接有嵌网，感应探头可对气流进行良好的感应，不易受到外界正常气流的干扰；解决了晶圆需要一定的干涸时间，影响到出产效率，传感器很容易受到外界的气流影响，出现误测的情况的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪
本技术涉及半导体晶圆
，具体为一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪。
技术介绍
现有的半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，晶圆在加工完毕后，表面会残留有部分氧化铝，而为了保证晶圆出产后的正常使用，需要对晶圆表面残留的氧化铝进行清洗，但现有的清洗方式大多用高压水射流冲洗，晶圆还需要一定的干涸时间，影响到出产效率，其次，晶圆内存在有化学物质加工后留下的气体，而晶圆恒定气体的浓度有一定的标准，但在测试气体浓度时传感器很容易受到外界的气流影响，出现误测的情况，故而，我们提出晶圆表面的清洗液可快速的处理掉，不易影响生产效率，感应探头可对气流进行良好的感应，不易受到外界正常气流的干扰，来解决上述问题。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题，本技术的目的是提供一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪。为了实现上述的目的，本技术采用了以下的技术方案：一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，所述半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪包括底座、定位柱和托板，所述定位柱的数量为两个，且定位柱分别固定连接在底座顶端中部前后两侧，所述托板底端开有槽，且托板底端通过槽与定位柱活动连接，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，所述半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪包括底座(1)、定位柱(103)和托板(2)，所述定位柱(103)的数量为两个，且定位柱(103)分别固定连接在底座(1)顶端中部前后两侧，所述托板(2)底端开有槽，且托板(2)底端通过槽与定位柱(103)活动连接,其特征在于：所述底座(1)左侧套接有排水管(102)，且托板(2)顶端固定有与其为一体的托盘(202)，所述托盘(202)顶端开有放置槽(203)，且托板(2)左右两侧均焊接有撑柱(201)，所述撑柱(201)底端均与底座(1)相接触，且底座(1)顶端嵌接有外壳(3)，所述外壳(3)前端铰接有透明板(30...

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，所述半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪包括底座(1)、定位柱(103)和托板(2)，所述定位柱(103)的数量为两个，且定位柱(103)分别固定连接在底座(1)顶端中部前后两侧，所述托板(2)底端开有槽，且托板(2)底端通过槽与定位柱(103)活动连接,其特征在于：所述底座(1)左侧套接有排水管(102)，且托板(2)顶端固定有与其为一体的托盘(202)，所述托盘(202)顶端开有放置槽(203)，且托板(2)左右两侧均焊接有撑柱(201)，所述撑柱(201)底端均与底座(1)相接触，且底座(1)顶端嵌接有外壳(3)，所述外壳(3)前端铰接有透明板(301)，且外壳(3)顶端中部前侧嵌入设置有水泵(5)，所述外壳(3)顶端中部后侧嵌入设置有气泵(4)；传感器(6)，所述传感器(6)嵌入设置在外壳(3)右侧顶端，且传感器(6)左侧电性连接有感应探头(601)，所述感应探头(601)左侧套接有遮挡块(602)，且遮挡块(602)外壁嵌接有嵌网(603)。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，其特征在于：所述底座(1)底端内侧通过螺栓连...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐雄，
申请(专利权)人：上海更日敦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31