【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅铸锭硅片清洗设备
本专利技术涉及硅片清洗设备领域,具体为一种多晶硅铸锭硅片清洗设备。
技术介绍
半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。物理清洗属于清洗方式的一种,物理清洗常利用高压喷头,对硅片进行清洗,但传统的硅片加工,清洗设备和抛光设备属于两种设备,先后加工,延长了加工的时间,设备间的配合度较低,且抛光过程中,加工箱体位置固定,抛光会留有死角,导致抛光不彻底,综上所述,现急需一种多晶硅铸锭硅片清洗设备来解决上述出现的问题。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,以解决上述
技术介绍
中提出的传统的硅片加工,清洗设备和抛光设备属于两种设备,先后加工,延长了加工的时间,设备间的配合度较低,且抛光过程中,加工箱体位置固定,抛光会留有死角,导致抛光不彻底的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,包括装置主体 ...
【技术保护点】
1.一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,包括装置主体、升降机构(2)和清洗机构(9),其特征在于:所述装置主体包括加工箱体(1)、抛光轴(3)、驱动机(4)、转轴(5)、内箱(6)、集水槽(7)、泵体(8)和支腿(10),所述支腿(10)设置在加工箱体(1)下端面,所述驱动机(4)设置在加工箱体(1)顶端面中间位置,所述转轴(5)转动连接在加工箱体(1)内部,且与驱动机(4)的输出端传动连接,所述抛光轴(3)设置在转轴(5)上,所述集水槽(7)设置在加工箱体(1)内部底端面,所述内箱(6)位于集水槽(7)上方;所述升降机构(2)设置在加工箱体(1)内部上侧,所述升降机构(2)包括电 ...
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,包括装置主体、升降机构(2)和清洗机构(9),其特征在于:所述装置主体包括加工箱体(1)、抛光轴(3)、驱动机(4)、转轴(5)、内箱(6)、集水槽(7)、泵体(8)和支腿(10),所述支腿(10)设置在加工箱体(1)下端面,所述驱动机(4)设置在加工箱体(1)顶端面中间位置,所述转轴(5)转动连接在加工箱体(1)内部,且与驱动机(4)的输出端传动连接,所述抛光轴(3)设置在转轴(5)上,所述集水槽(7)设置在加工箱体(1)内部底端面,所述内箱(6)位于集水槽(7)上方;所述升降机构(2)设置在加工箱体(1)内部上侧,所述升降机构(2)包括电机一(21)、滑轮(22)、传动轴(23)和绳索(24),所述传动轴(23)转动连接在加工箱体(1)内部靠上部位,所述滑轮(22)设有两个,两个滑轮(22)对称转动连接在传动轴(23)上,所述滑轮(22)通过绳索(24)与内箱(6)固定连接,所述传动轴(23)与电机一(21)的输出端传动连接;所述清洗机构(9)包括辅助清洁组件(91)和电机二(92),所述电机二(92)设置在加工箱体(1)底端面,所述辅助清洁组件(91)设有两个,两个所述辅助清洁组件(91)对称设置在加工箱体(1)内部,所述辅助清洁组件(91)包括支架(911)、高压喷头(912)、滑块(913)、齿条(914)、齿轮(915)和安装轴(916),所述齿条(914)通过...
【专利技术属性】
技术研发人员:李广森,
申请(专利权)人:安徽华顺半导体发展有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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