一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法，涉及多晶硅生产技术领域。所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠4‑6份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠2‑4份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠6‑8份、硬脂酸甘油酯8‑10份、聚氧乙烯烷基醇酰胺1‑3份、氢氧化钠1‑2份、螯合剂0.6‑0.8份、交联剂0.3‑0.5份、增稠剂1‑2份、增溶剂0.8‑1.0份、消泡剂1.2‑1.4份、去离子水200‑240份。本发明专利技术克服了现有技术的不足，能够有效分解硅片上的油污并且去除粘附的杂物和切割残留的碎屑，从而有效提高清洗液的去污能力，各组分有效结合，清洗更加精细化，清洗效果好，清洗液去污能力强，适宜推广。

A powerful detergent for polycrystalline silicon wafers and its preparation method

The invention provides a cleaning solution for highly effective decontamination of polycrystalline silicon wafers and a preparation method thereof, which relates to the technical field of polycrystalline silicon production. The cleaning solution is made of 4 6 parts of sodium dioctyl succinate sulfonate, 2 4 parts of sodium Diisooctyl succinate sulfonate, 6 8 parts of sodium fatty alcohol polyoxyethylene ether sulfate, 8 10 parts of glyceryl stearate, 1 3 parts of polyoxyethylene alkyl alcohol amide, 1 2 parts of sodium hydroxide, 0.6 0.8 parts of chelating agent, 0.3 0.5 parts of crosslinking agent, 1 2 parts of thickener and 0.8 parts of solvent. 1.0, 1.2, 1.4 and 200, 240 parts of deionized water. The invention overcomes the shortcomings of the existing technology, can effectively decompose oil stain on silicon wafer and remove adhering impurities and cutting residual debris, thereby effectively improving the decontamination ability of cleaning liquid, effective combination of various components, more refined cleaning, good cleaning effect, strong decontamination ability of cleaning liquid, and is suitable for popularization.

【技术实现步骤摘要】
一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法
本专利技术涉及多晶硅生产
，具体涉及一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法。
技术介绍
随着人们环保意识的加强，太阳能作为绿色资源已被广泛应用。其中多晶硅材料为太阳能光伏的主要材料，约占世界光伏电池的85％以上。多晶硅作为光伏产业的前端产品，在整个产业链中占据重要地位。目前多晶硅片在其加工过程中，需要使用金钢线和切割液相互配合对制得的多晶硅锭进行切片。切片完成后还需通过清洗液对制得的多晶硅片进行清洗，除去多晶硅片上的杂质。但是目前的切割液其油脂含量较高，由于其本身具有一定的粘附性，会粘上较多其他的杂物共同附着在多晶硅片上，加上切片时残留的碎屑，清洗较为麻烦。目前的清洗液清洗效果较差，去污能力差，难以除去多晶硅片上的污物，给工作人员带来了较大的麻烦。
技术实现思路
针对现有技术不足，本专利技术提供一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法，本专利技术克服了现有技术的不足，能够有效分解硅片上的油污并且去除粘附的杂物和切割残留的碎屑，从而有效提高清洗液的去污能力，各组分有效结合，清洗更加精细化，清洗效果好，清洗液去污能力强，适宜推广。为实现以上目的，本专利技术的技术方案通过以下技术方案予以实现：一种强效去污多晶硅片用清洗液，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠4-6份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠2-4份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠6-8份、硬脂酸甘油酯8-10份、聚氧乙烯烷基醇酰胺1-3份、氢氧化钠1-2份、螯合剂0.6-0.8份、交联剂0.3-0.5份、增稠剂1-2份、增溶剂0.8-1.0份、消泡剂1.2-1.4份、去离子水200-240份。优选的，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠5份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠3份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠7份、硬脂酸甘油酯9份、聚氧乙烯烷基醇酰胺2份、氢氧化钠1.5份、螯合剂0.7份、交联剂0.4份、增稠剂1.5份、增溶剂0.9份、消泡剂1.3份、去离子水220份。优选的，所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠。优选的，所述交联剂为N-羟甲基丙烯酰胺、甲叉双丙烯酰胺和1，4-丁二醇二缩水甘油醚中的一种或多种。优选的，所述增稠剂为氯化钠、聚丙烯酸钠和羧甲基纤维素中的一种或多种。优选的，所述增溶剂为十二烷基硫酸钠、月桂醇硫酸钠和山梨醇中的一种或多种。优选的，所述消泡剂甲基硅油、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚和聚氧丙烯甘油醚中的一种或多种。所述清洗液的制备方法包括以下步骤：(1)将二辛基琥珀酸磺酸钠、二异辛基丁二酸酯磺酸钠和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠混合后加入高速分散机内，再加入螯合剂，升温至50-60℃，调整转速至600-800r/min，高速分散20-30min得物料A备用；(2)将硬脂酸甘油酯、聚氧乙烯烷基醇酰胺和交联剂混合后加入搅拌机内，调整转速至100-140r/min，搅拌10-20min后将其混合物置于保温箱中，升温至60-80℃，保温改性30-50min得物料B备用；(3)将制得的物料A和物料B混合后在80-100℃条件下进行恒温水浴加热，调整转速至160-180r/min，保温搅拌1-2h后加入氢氧化钠和增稠剂，继续保温搅拌40-60min得清洗液原料备用；(4)向制得的清洗液原液中加入去离子水，并且加入增溶剂和消泡剂，再将其混合液加入超声震荡仪中，超声混合2-4h得到产品。本专利技术提供一种强效去污多晶硅片用清洗液及其制备方法，与现有技术相比优点在于：(1)本专利技术采用二辛基琥珀酸磺酸钠、二异辛基丁二酸酯磺酸钠和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠制得物料A，能够有效分解硅片上的油污并且去除粘附的杂物和切割残留的碎屑，从而有效提高清洗液的去污能力，通过螯合剂对二辛基琥珀酸磺酸钠、二异辛基丁二酸酯磺酸钠和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠进行螯合处理，并且在高速分散的作用下，使各组分得到有效结合，清洗效果好；(2)本专利技术采用硬脂酸甘油酯和聚氧乙烯烷基醇酰胺制得物料B，能够有效去除硅片上难以除去的污物，清洗更加精细化，通过交联剂使得聚氧乙烯烷基醇酰胺对硬脂酸甘油酯进行改性，不仅能够将硬脂酸甘油酯上的疏水基团改性变成亲水基团，还能有效激发硬脂酸甘油酯的去污能力，清洗液去污能力强，适宜推广。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合本专利技术实施例对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1：一种强效去污多晶硅片用清洗液，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠4份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠2份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠6份、硬脂酸甘油酯8份、聚氧乙烯烷基醇酰胺1份、氢氧化钠1份、螯合剂0.6份、交联剂0.3份、增稠剂1份、增溶剂0.8份、消泡剂1.2份、去离子水200份。其中，所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠；所述交联剂为N-羟甲基丙烯酰胺、甲叉双丙烯酰胺和1，4-丁二醇二缩水甘油醚中的一种或多种；所述增稠剂为氯化钠、聚丙烯酸钠和羧甲基纤维素中的一种或多种；所述增溶剂为十二烷基硫酸钠、月桂醇硫酸钠和山梨醇中的一种或多种；所述消泡剂甲基硅油、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚和聚氧丙烯甘油醚中的一种或多种。所述清洗液的制备方法包括以下步骤：(1)将二辛基琥珀酸磺酸钠、二异辛基丁二酸酯磺酸钠和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠混合后加入高速分散机内，再加入螯合剂，升温至50-60℃，调整转速至600-800r/min，高速分散20-30min得物料A备用；(2)将硬脂酸甘油酯、聚氧乙烯烷基醇酰胺和交联剂混合后加入搅拌机内，调整转速至100-140r/min，搅拌10-20min后将其混合物置于保温箱中，升温至60-80℃，保温改性30-50min得物料B备用；(3)将制得的物料A和物料B混合后在80-100℃条件下进行恒温水浴加热，调整转速至160-180r/min，保温搅拌1-2h后加入氢氧化钠和增稠剂，继续保温搅拌40-60min得清洗液原料备用；(4)向制得的清洗液原液中加入去离子水，并且加入增溶剂和消泡剂，再将其混合液加入超声震荡仪中，超声混合2-4h得到产品。实施例2：一种强效去污多晶硅片用清洗液，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠5份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠3份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠7份、硬脂酸甘油酯9份、聚氧乙烯烷基醇酰胺2份、氢氧化钠1.5份、螯合剂0.7份、交联剂0.4份、增稠剂1.5份、增溶剂0.9份、消泡剂1.3份、去离子水220份。其中，所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠；所述交联剂为N-羟甲基丙烯酰胺、甲叉双丙烯酰胺和1，4-丁二醇二缩水甘油醚中的一种或多种；所述增稠剂为氯化钠、聚丙烯酸钠和羧甲基纤维素中的一种或多种；所述增溶剂为十二烷基硫酸钠、月桂醇硫酸钠和山梨醇中的一种或多种；所述消泡剂甲基硅油、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚和聚氧丙烯甘油醚中的一种或多种。所述清洗液的制备方法包括以下步骤：(1)将二辛基琥珀酸磺酸钠、二异辛基丁二酸酯磺酸钠和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠混合后加入高速分散机内，再加入螯合剂，升温至50-60℃，调整转速至600-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠4‑6份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠2‑4份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠6‑8份、硬脂酸甘油酯8‑10份、聚氧乙烯烷基醇酰胺1‑3份、氢氧化钠1‑2份、螯合剂0.6‑0.8份、交联剂0.3‑0.5份、增稠剂1‑2份、增溶剂0.8‑1.0份、消泡剂1.2‑1.4份、去离子水200‑240份。

【技术特征摘要】
1.一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠4-6份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠2-4份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠6-8份、硬脂酸甘油酯8-10份、聚氧乙烯烷基醇酰胺1-3份、氢氧化钠1-2份、螯合剂0.6-0.8份、交联剂0.3-0.5份、增稠剂1-2份、增溶剂0.8-1.0份、消泡剂1.2-1.4份、去离子水200-240份。2.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述清洗液由以下重量份的原料制成：二辛基琥珀酸磺酸钠5份、二异辛基丁二酸酯磺酸钠3份、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠7份、硬脂酸甘油酯9份、聚氧乙烯烷基醇酰胺2份、氢氧化钠1.5份、螯合剂0.7份、交联剂0.4份、增稠剂1.5份、增溶剂0.9份、消泡剂1.3份、去离子水220份。3.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述螯合剂为乙二胺四乙酸二钠。4.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述交联剂为N-羟甲基丙烯酰胺、甲叉双丙烯酰胺和1，4-丁二醇二缩水甘油醚中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的一种强效去污多晶硅片用清洗液，其特征在于，所述增稠剂为氯化钠、聚丙烯酸钠和羧甲基纤维素中的一种或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李广森，
申请(专利权)人：安徽华顺半导体发展有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34