制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板技术

本发明专利技术公开了制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板。具体的，本发明专利技术提出了一种制备多晶硅薄膜的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起；对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起；去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。由此，该方法可以简便地去除多晶硅预制层表面的凸起，使多晶硅薄膜的表面平整性较高，提高了多晶硅薄膜的使用性能。

Method, Array Substrate and Display Panel for Preparing Polycrystalline Silicon Films

The invention discloses a method for preparing polycrystalline silicon film, an array substrate and a display panel. Specifically, the invention provides a method for preparing polycrystalline silicon thin films, including: providing a substrate; forming a polycrystalline silicon preform layer on the substrate, the surface of the polycrystalline silicon preform layer has multiple protrusions; forming a photoresist layer on the side far from the substrate; first ashing treatment of the photoresist layer to remove part of the photoresist layer, so as to facilitate the preparation of the polycrystalline silicon thin film. The plurality of protrusions are exposed; the plurality of protrusions are subjected to a second ashing treatment to remove the plurality of protrusions; and the remaining photoresist layer is removed to form the polycrystalline silicon film. Therefore, this method can easily remove the bulge on the surface of polycrystalline silicon preform, make the surface of polycrystalline silicon film smoother, and improve the performance of polycrystalline silicon film.

【技术实现步骤摘要】
制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板
本专利技术涉及多晶硅
，具体地，涉及制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LCD)以及有机发光显示器件(OLED)已广泛地应用于日常生活中，如手机屏幕、手提电脑显示屏、台式电脑显示屏及平板电视等。在上述显示器件中，薄膜晶体管(TFT)一般用作开关元件来控制像素，或者用作驱动元件来驱动像素。薄膜晶体管按照硅薄膜性质通常可分为非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)两种，与非晶硅薄膜晶体管相比，多晶硅薄膜晶体管有更高的电子迁移率、更佳的液晶特性以及较低的漏电流，因此，多晶硅薄膜技术，尤其是低温多晶硅(LTPS)技术已经成为薄膜晶体管研发的热点。目前的多晶硅制备工艺中，多晶硅的晶化一直是研究的重点。准分子激光晶化(ELC)技术以其较高的电子迁移率及产品产率等，被广泛用于非晶硅的晶化。例如，目前常用的微透镜阵列技术(MicroLensArray，MLA，准分子激光晶化的一种)，即通过多组微透镜叠加，产生高能量密度的激光，被激光照射的非晶硅(a-Si)在瞬间的高温下发生熔融再结晶，将薄膜晶体管沟道区由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起；对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起；去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起；对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起；去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅预制层形成在所述衬底的部分表面，在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶，所述光刻胶覆盖所述多晶硅预制层以及未被所述多晶硅预制层覆盖的所述衬底，控制涂覆的所述光刻胶的厚度，以令所述光刻胶远离所述衬底一侧的表面为平面；采用半色调掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影，在所述光刻胶与所述多晶硅预制层对应处形成凹坑，以便形成所述光刻胶层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅预制层形成在所述衬底的部分表面，在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶，所述光刻胶覆盖所述多晶硅预制层以及未被所述多晶硅预制层覆盖的所述衬底，并进行曝光固化，以便形成所述光刻胶层，控制涂覆的所述光刻胶厚度，以令所述光刻胶层各处的厚度均一；任选地，所述光刻胶的厚度不小于1μm。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，位于所述多个凸起正上方的所述光刻胶层的厚度和所述多个凸起的高度之比为(8-20)：1；任选地，多个所述凸起的高度为5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，采用第一灰化气体进行所述第一灰化处理，所述第一灰化气体包括六氟化硫...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琳，马涛，唐新阳，杨成绍，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34