清洁半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种清洁半导体装置的方法，特别公开了用于清洁半导体装置表面的清洁溶液，以及使用与形成清洁溶液的方法。在一实施例中，自半导体装置的第一表面研磨移除材料；以及以清洁溶液清洁第一表面。清洁溶液可包括主体，且主体具有至少一环。主体可具有亲水外部与疏水内部。

Method of Cleaning Semiconductor Devices

The embodiment of the present invention discloses a method for cleaning semiconductor devices, in particular a clean solution for cleaning the surface of semiconductor devices, and a method for using and forming a clean solution. In one embodiment, material is removed from the first surface of the semiconductor device by abrasion; and the first surface is cleaned with a clean solution. A clean solution may include a body having at least one ring. The main body can have hydrophilic exterior and hydrophobic interior.

【技术实现步骤摘要】
清洁半导体装置的方法
本专利技术实施例涉及化学机械研磨，更特别地涉及其所用的清洁溶液。
技术介绍
半导体装置用于多种电子设备，比如个人电脑、手机、数字数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层与半导体层的材料于半导体基板上，再采用微影与蚀刻制程图案化上述层状物，以形成电路构件与单元于半导体基板上。半导体产业持续减少最小结构尺寸，以改良多种电子构件如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物的集成密度，使更多构件得以整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，每一制程将产生需解决的额外问题。
技术实现思路
在一实施例中，清洁半导体装置的方法，包括：自半导体装置的第一表面研磨移除材料；以及以清洁溶液清洁第一表面，且清洁溶液包括主体，主体具有至少一环，且主体具有亲水外部与疏水内部。附图说明图1是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的制程。图2A与图2B是一些实施例中，形成源极/漏极区的视图。图3是一些实施例中，形成第一开口的视图。图4是一些实施例中，形成第一接点的视图。图5是一些实施例中，化学机械研磨系统的视图。图6A至图6C是一些实施例中，化学机械研磨制程的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁半导体装置的方法，包括：自一半导体装置的一第一表面研磨移除材料；以及以一清洁溶液清洁该第一表面，且该清洁溶液包括一主体，该主体具有至少一环，且该主体具有一亲水外部与一疏水内部。

【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/592,891;2018.10.05 US 16/152,9...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱品磊，徐俊伟，聂菱甫，刘启人，林易生，陈亮光，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71