半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法包含在半导体基板上形成通道区域。在通道区域上形成介面层。使用三甲基铝(TMA)处理介面层。在使用TMA处理介面层之后在介面层上形成高介电常数(高介电常数)介电质层。在高介电常数介电质层上形成栅极。使用TMA处理介面层和形成高介电常数介电质层是在同一腔室中进行。在使用TMA处理介面层之前退火介面层。退火介面层和使用TMA处理介面层是在不同的腔室中进行。

Manufacturing Method of Semiconductor Device

A manufacturing method of a semiconductor device includes forming a channel area on a semiconductor substrate. The interface layer is formed in the channel area. Trimethylaluminium (TMA) was used to treat the interface layer. After TMA treatment of the interface layer, a high dielectric constant (high dielectric constant) dielectric layer is formed on the interface layer. A grid is formed on the dielectric layer with high dielectric constant. The TMA treatment of the interface layer and the formation of a high dielectric constant dielectric layer are carried out in the same chamber. Annealing the interface layer before TMA treatment. The annealed interface layer and the TMA treated interface layer are carried out in different chambers.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本揭示涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
使用有意生长的介面层(interfaciallayer,IL)以便在通道区域和栅极绝缘体之间配置良好的介面，特别是使用高介电常数(高介电常数)介电质(例如二氧化铪(HfO2)、硅酸铪(HfSiO4)、二氧化锆(ZrO2)、硅酸锆(ZrSiO4)等)，并以抑制金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors,MOSFET)中通道载子迁移率的降低。然而，当通道区域含有硅锗时，介面层的形成常常会导致介面层表面上的悬键。悬键会降低通道区域的电子迁移率。去除悬键的方法之一是在通道区域上磊晶生长覆盖层。然而附加的覆盖层会增加通道区域的厚度，并使元件的尺寸必须因此妥协。
技术实现思路
本揭露内容的一态样提供一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤：形成通道区域于半导体基板上；形成介面层于通道区域上；使用三甲基铝处理介面层；在使用三甲基铝处理介面层之后，在介面层上形成一高介电常数介电质层；以及形成栅极于高介电常数介电质层上。附图说明当结合附图阅读时，根据以下详本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：形成一通道区域于一半导体基板上；形成一介面层于该通道区域上；使用三甲基铝处理该介面层；在使用三甲基铝处理该介面层之后，在该介面层上形成一高介电常数介电质层；以及形成一栅极于该高介电常数介电质层上。

【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/593,004;2018.03.12 US 15/919,0701.一种半导体装置的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志宇，张翔笔，方子韦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71