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一种半导体装置的制造方法包含在半导体基板上形成通道区域。在通道区域上形成介面层。使用三甲基铝(TMA)处理介面层。在使用TMA处理介面层之后在介面层上形成高介电常数(高介电常数)介电质层。在高介电常数介电质层上形成栅极。使用TMA处理介面层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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