半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制造方法。一种制造电容器的方法包括：形成底部电极；在底部电极上形成电介质层；在电介质层上形成金属氧化物层，该金属氧化物层包括具有高电负性的金属；在金属氧化物层上形成牺牲层，以将金属氧化物层还原成金属层；以及在牺牲层上形成顶部电极，以将还原后的金属层转变成高功函数界面层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年11月28日提交的申请号为10-2017-0160654的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例总体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。更具体地，本专利技术涉及包括电容器的半导体器件以及该半导体器件的制造方法。
技术介绍
半导体器件的电容器可以包括底部电极、电介质层和顶部电极。随着半导体器件的集成度增加，电介质层的厚度减小，这可能会引起增加的泄漏电流。增大电介质层的厚度以减少泄漏电流导致等效氧化物层厚度(Tox)增大。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例针对一种包括具有改善的泄漏电流特性的电容器的半导体器件以及该半导体器件的制造方法。根据本专利技术的一个实施例，一种制造电容器的方法包括：形成底部电极；在所述底部电极上形成电介质层；在所述电介质层上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包括具有高电负性的金属；在所述金属氧化物层上形成牺牲层，以将所述金属氧化物层还原成金属层；以及在所述牺牲层上形成顶部电极，以将所述还原后的金属层转变成高功函数界面层。可以在氢气气氛下执行在所述金属氧化物层上形成所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造电容器的方法，该方法包括：形成底部电极；在所述底部电极上形成电介质层；在所述电介质层上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包括具有高电负性的金属；在所述金属氧化物层上形成牺牲层，以将所述金属氧化物层还原成金属层；以及在所述牺牲层上形成顶部电极，以将还原后的金属层转变成高功函数界面层。

【技术特征摘要】
2017.11.28 KR 10-2017-01606541.一种制造电容器的方法，该方法包括：形成底部电极；在所述底部电极上形成电介质层；在所述电介质层上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包括具有高电负性的金属；在所述金属氧化物层上形成牺牲层，以将所述金属氧化物层还原成金属层；以及在所述牺牲层上形成顶部电极，以将还原后的金属层转变成高功函数界面层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在氢气气氛下执行在所述金属氧化物层上形成所述牺牲层的步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属氧化物层上形成所述牺牲层的步骤包括：在氢气气氛下使用含氢的硅源气体来在所述金属氧化物层上形成硅层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属氧化物层上形成所述牺牲层的步骤包括：在氢气气氛下使用含氢的硅源气体和含氢的掺杂剂气体来在所述金属氧化物层上形成掺杂硅层。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属氧化物层上形成所述牺牲层的步骤包括：在所述金属氧化物层上形成氧化硅层；以及在氢气气氛下使用含氢的硅源气体来在所述氧化硅层上形成硅层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述金属氧化物层上形成所述氧化硅层的步骤包括：通过交替沉积所述金属氧化物层和所述氧化硅层来形成层状结构。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述牺牲层上形成所述顶部电极的步骤包括：在所述牺牲层上形成掺杂有杂质的硅锗层。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在使得所述牺牲层与所述还原后的金属层进行反应以形成金属硅化物层或金属锗化物层的温度下执行在所述牺牲层上形成所述顶部电极的步骤。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物层包括氧化镍，所述还原后的金属层包括镍层，并且所述高功函数界面层包括镍硅化物或富镍的镍硅化物。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物层包括氧化钴，所述还原后的金属层包括钴层，并且所述高功函数界面层包括钴硅化物或富钴的钴硅化物。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物层包括氧化钨，所述还原后的金属层包括钨层，并且所述高功函数界面层包括钨硅化物或富钨的钨硅化物。12.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属氧化物层上形成所述牺牲层的步骤包括：在氢气气氛下...

【专利技术属性】
技术研发人员：金范庸，吉德信，全喜营，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR