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本发明公开一种半导体器件及其制造方法。一种制造电容器的方法包括：形成底部电极；在底部电极上形成电介质层；在电介质层上形成金属氧化物层，该金属氧化物层包括具有高电负性的金属；在金属氧化物层上形成牺牲层，以将金属氧化物层还原成金属层；以及在牺牲...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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