一种研磨硅片清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种研磨硅片清洗方法，其方法依次包括预清洗和清洗步骤，其中预清洗依次顺序包括鼓泡吹洗、预清洗液清洗和纯水清洗；清洗包括免超声药液清洗和纯水清洗，其中免超声药液清洗和纯水清洗交替进行若干次。本发明专利技术摒弃浓碱及超声，通过滚轴带动硅片在稀碱及清洗液内转动、剥离硅片表面杂质。

A Cleaning Method for Grinding Silicon Wafer

The present invention provides a cleaning method for grinding silicon wafer, which includes pre-cleaning and cleaning steps in turn, including bubble blowing, pre-cleaning liquid cleaning and pure water cleaning; cleaning includes non-ultrasonic liquid cleaning and pure water cleaning, in which non-ultrasonic liquid cleaning and pure water cleaning alternately carry out several times. The invention abandons concentrated alkali and ultrasound, and drives silicon wafer to rotate and peel off surface impurities in dilute alkali and cleaning solution by roller.

【技术实现步骤摘要】
一种研磨硅片清洗方法
本专利技术属于半导体制造领域，尤其是涉及一种研磨后硅片的清洗工艺。
技术介绍
硅材料的制备包括定向切割、磨片、抛光等，其中切片之后要进行研磨，由于切片之后的硅单晶片还不具有合乎半导体制造过程中所需要的曲度、平坦度和平行度，所以研磨步骤成为硅单晶片有效改善硅片的曲度、平坦度与平行度的关键工艺。但是经过研磨后的硅片表面存有残留物，包括金刚砂、硅粉、硅氧化物和金属氧化物等。在进行下一步工艺加工前，需要将其表面的残留物清洗干净。现有清洗工艺主要为超声波清洗工艺及微腐蚀清洗工艺。超声波清洗工艺原理：利用超声空化作用、去除硅片表面吸附杂质，再利用清洗液络合作用、吸附该杂质从而达到清洗目的；存在清洗能力弱、清洗寿命短的问题；微腐蚀清洗工艺原理：利用浓碱、对硅片进行腐蚀、去除硅片表面杂质的同时削除硅片氧化层及硅片本身；存在造成硅片原材料浪费(本身厚度损失)、影响清洗机使用寿命的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在提出一种研磨硅片清洗方法，摒弃浓碱及超声，通过滚轴带动硅片在稀碱及清洗液内转动、剥离硅片表面杂质。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种研磨硅片清本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨硅片清洗方法，其特征在于：依次包括预清洗和清洗步骤，其中预清洗依次顺序包括鼓泡吹洗、预清洗液清洗和纯水清洗；清洗包括免超声药液清洗和纯水清洗，其中免超声药液清洗和纯水清洗交替进行若干次。

【技术特征摘要】
1.一种研磨硅片清洗方法，其特征在于：依次包括预清洗和清洗步骤，其中预清洗依次顺序包括鼓泡吹洗、预清洗液清洗和纯水清洗；清洗包括免超声药液清洗和纯水清洗，其中免超声药液清洗和纯水清洗交替进行若干次。2.根据权利要求1所述的一种研磨硅片清洗方法，其特征在于：鼓泡吹洗步骤，采用压缩空气在纯水内进行鼓泡，吹动去除大颗粒砂浆杂质；预清洗液清洗，采用40KHz的超声作用10-15min，浓度为2-3％的预清洗液剥离鼓泡吹洗未除去的大颗粒杂质；纯水清洗，采用纯水溢流方式，溢流流速4.5-5.5L/min，40KHz的超声作用5min，得到预清洗研磨硅片；优选的，鼓泡吹洗步骤，采用压缩空气在纯水内进行鼓泡，吹动去除大颗粒砂浆杂质；预清洗液清洗，采用40KHz的超声作用10min，浓度为2％的预清洗液剥离鼓泡吹洗未除去的大颗粒杂质；纯水清洗，采用纯水溢流方式，溢流流速为5L/min，40KHz的超声作用5min，得到预清洗研磨硅片。3.根据权利要求1所述的一种研磨硅片清洗方法，其特征在于：免超声药液清洗和纯水清洗交替进行的步骤包括：第一次纯水清洗、第一次碱洗液清洗、第二次纯水清洗、第二次碱洗液清洗、第三次纯水清洗、氧化清洗液清洗，第四次纯水清洗；优选的，第四次纯水清洗后对研磨硅片甩干。4.根据权利要求3所述的一种研磨硅片清洗方法，其特征在于：第一次碱洗液清洗和第二次碱洗液清洗，每个步骤操作两次。5.根据权利要求4所述的一种研磨硅片清洗方法，其特征在于：第一次碱洗液清洗，免超声，60-70℃的温度下滚轴清洗7-10min；优选的第一次碱洗液包括浓度为45wt％的KOH、95wt％的表面活性剂TXT和DIW，添加的体积比例KOH:TXT:DIW为2.5-3.5:6-7:75.5-77.5；优选的，第一次碱洗液清洗，免超声，60-70℃的温度下滚轴清洗8min；优选的第一次碱洗液包括45wt％的KOH、95wt％TXT和DIW，添加的体积比例KOH:TXT:DIW为2.58:6.02:77.4。6.根据权利要求4所述的一种研磨硅片清洗方法，其特征在于：第二次碱洗液清洗包括两个阶段，第二次碱洗液清洗第一阶段采用免超声，65-75℃的温度下滚轴清洗7-10min；第二次碱洗液清洗第一阶段碱洗液包括45wt％的KOH、95wt％的表面活性剂和DIW，添加的体积比例KOH:TXT:DIW为10-14:4-6:50-55；第二次碱洗液清洗第二阶段采用免超声，60-70℃的温度下滚轴清洗7-10min；第二次碱洗液清洗第二阶段碱洗液包括45wt％的KOH、95wt％的表面活性剂和DIW，添加的体积比例KOH:TXT:DIW为2-3:4-6:60-65；优选的，第二次碱洗液清洗第一阶段采用免超声，65-75℃的温度下滚轴清洗8min；第二次碱洗液清洗第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张堪，由佰玲，苏荣义，白玉麟，徐荣清，王彦君，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12