一种高频双面覆铜板及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种高频双面覆铜板，从上至下依次包括铜箔、低Dk和Df绝缘层、热固高频胶复合材料组合物层、低Dk和Df绝缘层、铜箔，所述低Dk和Df绝缘层是低介电高分子复合材料组合物层或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层；所述低介电高分子复合材料组合物层是由所述低介电高分子复合材料组合物涂布在铜箔表面经过烘烤、熟化形成；所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层是由所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料涂布在铜箔表面经过烘烤、退火处理形成。本发明专利技术提供的高频双面覆铜板厚度可控制、低电性、拉力高。

A High Frequency Double-sided Copper Clad Laminate and Its Preparation Method and Application

The invention discloses a high-frequency double-sided copper clad laminate, which comprises copper foil, low Dk and Df insulation layer, thermosetting high-frequency adhesive composite composite layer, low Dk and Df insulation layer and copper foil from top to bottom. The low Dk and Df insulation layer is a low dielectric polymer composite layer or a liquid crystal polymer composite layer with low thermal expansion coefficient and low dissipation factor. The composite layer is formed by the coating of the low dielectric polymer composite composition on the surface of copper foil through baking and ripening; the liquid crystal polymer composite layer with low thermal expansion coefficient and low dissipation factor is formed by the coating of the liquid crystal polymer composite material with low thermal expansion coefficient and low dissipation factor on the surface of copper foil through baking and annealing treatment. The high frequency double-sided copper clad laminate provided by the invention has controllable thickness, low electrical property and high tensile force.

【技术实现步骤摘要】
一种高频双面覆铜板及其制备方法与应用
本专利技术属于电子材料
，具体地说，涉及一种高频双面覆铜板及其制备方法与应用。
技术介绍
受惠于5G、AI、车用、医疗四大领域，未来三年PCB市场仍然火热，其中高频高速的5G通讯，被视为启动其他领域多元应用发展的基础，预估2020年将会正式商用，许多厂商积极扩厂提升产能与设备技术，以符合市场要求，期望在新科技来临时能够枪先商机。业者表示，为了符合5G高频高速、低损耗、大数据承载等特性，未来不论是前端制程或是终端服务，都将有重大改变，而5G对于零组件的要求也提高不少，以PCB来说不仅材料变严苛，基板加工也更难，随着制程技术提升切入门坎也变高，预估未来市场会更加集中，产业将逐渐走向恒大化发展的趋势。其中最重要的材料特性需求就是LOWDK/DF、剥离强度。在现有技术中，利用市售高频膜(PI与LCP)，经利用高温压合法制作成高频覆铜板。但因技术与成本都掌握在供货商手上，因此开发涂布压合法一样可达市售一样水平，压合温度可降低于100-150℃，同样可以应用于高速高频的材料。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高频双面覆铜板。本专利技术的另一个目的是提供一种所述高频双面覆铜板的制备方法。本专利技术的再一个目的是提供一种由所述高频双面覆铜板制成的电路板。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术的第一个方面提供了一种高频双面覆铜板，从上至下依次包括铜箔、低Dk和Df绝缘层、热固高频胶复合材料组合物层、低Dk和Df绝缘层、铜箔，所述低Dk和Df绝缘层是低介电高分子复合材料组合物(MPI)层或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)层；所述低介电高分子复合材料组合物(MPI)层是由所述低介电高分子复合材料组合物涂布在铜箔表面经过烘烤、熟化形成，低介电高分子复合材料组合物(MPI)层的厚度为25-50μm；所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)层是由所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料涂布在铜箔表面经过烘烤、退火处理形成，所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层的厚度为25-50μm；所述热固高频胶复合材料组合物层的厚度为1～6μm。所述铜箔的厚度为12-18μm。所述铜箔型号为BHFX-92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45(日矿)。所述低介电高分子复合材料组合物(MPI)是由以下重量份的组分制成：二酸酐20～60份；二胺单体1～25份；溶剂100～180份。所述二酸酐为对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(TAHQ)、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(BPDA)、双酚A型二醚二酐(BPADA)，具体结构如下所示：所述二胺单体为3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑(DTZ)、对氨基苯甲酸对氨基苯酯(APAB)、4,4’-二氨基二苯醚(ODA)、1,4-亚苯基双(4-氨基苯甲酸酯)(ABHQ)、对苯二甲酸二对氨基苯酯(BPTP)，具体结构如下所示：所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基乙酰胺、丁内酯、N.N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜。所述低介电高分子复合材料组合物(MPI)的固体含量为30wt％，粘度为30000～60000CPS。所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)是由以下重量份的组分制成：100份液晶高分子材料和0.1～30份填充物。所述液晶高分子材料购自日本住友商事株事会社，牌号为VR300。所述填充物为熔融石英(购自硅比科(上海)矿业有限公司，牌号为FS06)、改性铁氟龙(购自旭化成中国有限公司，牌号为EA-2000)、氢氧化铝(购自极东贸易上海有限公司，牌号为H42STV)。所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料(LCP)的固体份为8-30wt％，粘度为1200～2000CPS。所述热固高频胶复合材料组合物是由以下重量份的组分制成：优选的，所述热固高频胶复合材料组合物是由以下重量份的组分制成：所述硬链改性聚酰亚胺为台湾荒川化学工业股份有限公司的牌号为PIAD130H的产品。所述软链改性聚酰亚胺为台湾荒川化学工业股份有限公司的牌号为PIAD150L的产品。所述交联剂为P-(2,3-环氧丙氧基)-N,N-二(2,3-环氧丙基)苯胺(jer630)、2,2-双(4-氰氧苯基)丙烷(TA)、N,N,N',N'-四环氧丙基-4,4'-二氨基二苯甲烷，均购自三菱瓦斯化学株式会社。所述填充物为熔融石英(购自硅比科(上海)矿业有限公司，牌号为FS06)、改性铁氟龙(购自旭化成中国有限公司，牌号为EA-2000)、氢氧化铝(购自极东贸易上海有限公司，牌号为H42STV)。本专利技术的第二个方面提供了一种所述高频双面覆铜板的制备方法，包括以下步骤：在单面覆铜板上低Dk和Df绝缘层上涂布热固高频胶复合材料组合物(涂布量：干膜1～6μm)，烘烤(在温度为180℃的条件下烘烤5min)，将两个上述单面覆铜板涂覆有涂层的一面相对叠层放置，经过熟化(温度为180℃保持3h)，获得所述高频双面覆铜板。所述单面覆铜板上低Dk和Df绝缘层是指低介电高分子复合材料组合物制备的单面覆铜板上所述低介电高分子复合材料组合物层或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料制备的单面覆铜板上所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层。所述低介电高分子复合材料组合物制备的单面覆铜板的制备方法包括以下步骤：将所述低介电高分子复合材料组合物经由涂布工艺，涂布于铜箔(所述铜箔为Cu:BHFX-92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45(日矿))上，经过烘烤、熟化形成低介电高分子复合材料组合物层，获得单面覆铜板，所述烘烤的条件为140℃，保温15min，然后降至室温；所述熟化的条件：温度为350℃，保温时间为30min。所述低介电高分子复合材料组合物的制备方法包括以下步骤：按照所述配比，将二胺单体溶于溶剂中，然后加入二酸酐搅拌反应，搅拌溶解获得低介电高分子复合材料组合物。所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料制备的单面覆铜板的制备方法包括以下步骤：将所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料经由涂布工艺涂布于铜箔上，所述铜箔型号为BHFX-92F-HA-V2-12μm，RZ＝0.45；经过烘烤(所述烘烤的条件：温度为90℃，保温20min)、退火处理(所述退火处理的温度为300℃，保温3h)形成液晶高分子复合材料层，获得单面覆铜板。所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料的制备方法包括以下步骤：按照所述配比，将液晶高分子材料和填充物均匀搅拌分散，获得低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料。所述热固高频胶复合材料组合物的制备方法包括以下步骤：按照所述配比将硬链改性聚酰亚胺、软链改性聚酰亚胺、填充物搅拌均匀，加入交联剂继续搅拌，获得所述热固高频胶复合材料组合物。本专利技术的第三个方面提供了一种由所述高频双面覆铜板制成的电路板。由于采用上述技术方案，本专利技术具有以下优点和有益效果：本专利技术提供的高频双面覆铜板具有LOWDK/DF绝缘层即高频MPI与LCP，与接着层的双面线路板用积层体，所述的LOWDK/DF绝缘层即高频MPI与LCP与热固性高频胶接着层搭配低粗糙度的铜箔时可达到高传输的特性。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频双面覆铜板，其特征在于：从上至下依次包括铜箔、低Dk和Df绝缘层、热固高频胶复合材料组合物层、低Dk和Df绝缘层、铜箔，所述低Dk和Df绝缘层是低介电高分子复合材料组合物层或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层；所述低介电高分子复合材料组合物层是由所述低介电高分子复合材料组合物涂布在铜箔表面经过烘烤、熟化形成，低介电高分子复合材料组合物层的厚度为25‑50μm；所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层是由所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料涂布在铜箔表面经过烘烤、退火处理形成，所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层的厚度为25‑50μm；所述热固高频胶复合材料组合物层的厚度为1～6μm。

【技术特征摘要】
1.一种高频双面覆铜板，其特征在于：从上至下依次包括铜箔、低Dk和Df绝缘层、热固高频胶复合材料组合物层、低Dk和Df绝缘层、铜箔，所述低Dk和Df绝缘层是低介电高分子复合材料组合物层或低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层；所述低介电高分子复合材料组合物层是由所述低介电高分子复合材料组合物涂布在铜箔表面经过烘烤、熟化形成，低介电高分子复合材料组合物层的厚度为25-50μm；所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层是由所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料涂布在铜箔表面经过烘烤、退火处理形成，所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料层的厚度为25-50μm；所述热固高频胶复合材料组合物层的厚度为1～6μm。2.根据权利要求1所述的高频双面覆铜板，其特征在于：所述铜箔的厚度为12-18μm；所述低介电高分子复合材料组合物是由以下重量份的组分制成：二酸酐20～60份；二胺单体1～25份；溶剂100～180份。3.根据权利要求2所述的高频双面覆铜板，其特征在于：所述二酸酐为对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、双酚A型二醚二酐；所述二胺单体为3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、对氨基苯甲酸对氨基苯酯、4,4’-二氨基二苯醚、1,4-亚苯基双(4-氨基苯甲酸酯)、对苯二甲酸二对氨基苯酯；所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、丁内酯、N.N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜；所述低介电高分子复合材料组合物的固体含量为30wt％，粘度为30000～60000CPS；所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料是由以下重量份的组分制成：100份液晶高分子材料和0.1～30份填充物。4.根据权利要求3所述的高频双面覆铜板，其特征在于：所述填充物为熔融石英、改性铁氟龙、氢氧化铝；所述低热膨胀系数和低逸散因子的液晶高分子复合材料的固体份为8-30wt％，粘度为1200～2000CPS。5.根据权利要求1所述的高频双面覆铜板，其特征在于：所述热固高频胶复合材料组合物是由以下重量份的组分制成：6.根据权利要求5所述的高频双面覆铜板，其特征在于：所述交联剂为P-(2,3-环氧丙氧基...

【专利技术属性】
技术研发人员：周立，
申请(专利权)人：江阴骏驰复合材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32