一种高Tg、低Dk及低Df覆铜板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高Tg、低Dk及低Df覆铜板的制作方法，其步骤包括：配置胶液——上胶——叠合、热压，所述胶液成分包括：采用双马来酰亚胺树脂作为主体树脂，加入环氧树脂、聚醚醚酮树脂、低分子量聚酰亚胺树脂，再加入活性稀释剂、固化剂、固化促进剂及无机填料；用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮中的一种或多种作为溶剂配制；上胶：选取介电常数为4.0～4.5的NE‑玻纤布作为增强材料，浸以上述制得的胶液，经立式上胶机烘干制得半固化片；叠合、热压：将上好胶的半固化片整齐叠合，双面覆以铜箔，经真空热压机热压成型。本发明专利技术的覆铜板，其Tg＞250℃、Dk＜3.8、Df＜0.07，可以完全满足制作高频、高速线路板的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种高Tg、低Dk及低Df覆铜板的制作方法，属于覆铜板

技术介绍
随着高密度安装SMT技术的发展，以及PCB无铅焊接的要求，在PCB加工和整机安装配件中，受热冲击的反复次数比传统的通孔插装多，所以只有提高板材的玻璃化温度才能使可靠性有所保障和提高，在产品寿命期出现的PCB可靠性失效对客户来说显得越来越重要；低Tg的无卤覆铜板更容易引起CAF失效，CAF是由铜丝沿着玻璃纤维或树脂接口迁移形成的，会在相邻的导体间产生内部电气短路，这对高密度电路板的设计来说是一个很严重问题。现今信息技术飞速发展，各类具有高速信息处理功能的电子消费品已是日常生活中不可或缺的关键部分，军用领域应用的无线通讯和宽频技术也迅速向民用消费电子领域转移，今后电子信息通讯的主要核心将是往高频、高速方向发展；在高频技术持续发展的今天，从传统1GHZ以下的频率发展发展至2GHZ、3GHZ、6GHZ及高频率，覆铜板作为电子产品的重要组成部分之一，其介电常数(Dk)和损耗因子(Df)就成为了应用在高频领域所关注的重中之重两项性能指标。电路板必须耐燃，在一定温度下不能燃烧，只能软化。这时的温度点就叫做玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高Tg、低Dk及低Df覆铜板的制作方法，其步骤包括：配置胶液——上胶——叠合、热压，其特征在于：所述胶液成分包括：采用双马来酰亚胺树脂作为主体树脂，加入环氧树脂、聚醚醚酮树脂、低分子量聚酰亚胺树脂，再加入活性稀释剂、固化剂、固化促进剂及无机填料；用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮中的一种或多种作为溶剂配制；上胶：选取介电常数为4.0～4.5的NE‑玻纤布作为增强材料，浸以上述制得的胶液，经立式上胶机烘干制得半固化片；叠合、热压：将上好胶的半固化片整齐叠合，双面覆以铜箔，经真空热压机热压成型。

【技术特征摘要】
1.一种高Tg、低Dk及低Df覆铜板的制作方法，其步骤包括：配置胶液——上胶——叠合、热压，其特征在于：所述胶液成分包括：采用双马来酰亚胺树脂作为主体树脂，加入环氧树脂、聚醚醚酮树脂、低分子量聚酰亚胺树脂，再加入活性稀释剂、固化剂、固化促进剂及无机填料；用丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮中的一种或多种作为溶剂配制；上胶：选取介电常数为4.0～4.5的NE-玻纤布作为增强材料，浸以上述制得的胶液，经立式上胶机烘干制得半固化片；叠合、热压：将上好胶的半固化片整齐叠合，双面覆以铜箔，经真空热压机热压成型。2.根据权利要求1所述的一种高Tg、低Dk及低Df覆铜板的制作方法，其特征在于：所述胶液中各成分的重量份为：双马来酰亚胺树脂55～73环氧树脂30～45聚醚醚酮树脂25～30低分子量聚酰亚胺22～26活性稀释剂12～14氮系阻燃剂20～35固化剂13～16固化剂促进剂3～5无机填料15～22溶剂160～200。3.根据权利要求2所述的一种高Tg、低Dk及低Df覆铜板的制作方法，其特征在于：所述环氧树脂是双酚A型环氧树脂、酚醛型环氧树脂或阻燃型环氧树脂中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的一种高Tg、低Dk及低Df覆铜板的制作方法，其特征在于：所述聚酰亚胺的分子量≤1500g/mol。5.根据权利要求4所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洪彬，
申请(专利权)人：重庆德凯实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50