一种无卤高Tg低介电损耗覆铜板用树脂材料及制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种无卤高Tg低介电损耗覆铜板用树脂材料及制备工艺，属于覆铜板生产技术领域，包括以下重量份数的原料：改性树脂80～120份，4‑氨基苯氧基邻苯二甲腈30～45份，聚合物纳米微球22～40份，三维陶瓷网络填料15～30份，固化剂10～20份，溶剂50～100份。其中，所述改性树脂是采用柚皮素、对苯二甲酰氯、3‑((2‑羟基乙基)氨基)丙醇作为改性剂，对线型酚醛环氧树脂和双马来酰亚胺树脂的混合树脂改性得到。利用本发明专利技术制备的覆铜板具有高玻璃化转变温度Tg、高热分层时间T288、高铜箔剥离强度PS、低介电常数Dk和低介电损耗Df。玻璃化转变温度Tg可达到250℃以上，介质损耗可达到0.004以下，同时具有无卤阻燃特性，综合性能较佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及覆铜板生产，具体涉及一种无卤高tg低介电损耗覆铜板用树脂材料及制备工艺。

技术介绍

1、为了提高通讯信号传输速度、降低信号传输损耗，保证5g通讯的速度与质量，应尽量降低应用于覆铜板中的层间介质材料的介电损耗(df)，提高高玻璃化转变温度(tg)，同时为了提升环保效果，应满足无卤要求。

2、cn105415778b公开了一种无卤高频高速覆铜板及其制备方法，其由粘合剂，玻璃纤维布和铜箔制备而成，玻璃化转变温度tg≥150℃、介电常数dk≦3.9，介质损耗df≦0.009。

3、可以看出，其玻璃化转变温度无法达到250℃以上，介质损耗无法达到0.004以下。因此该树脂材料依旧难以同时兼顾高玻璃化转变温度、低介电常数以及无卤等多个要求。

4、基于此，本专利技术设计了一种无卤高tg低介电损耗覆铜板用树脂材料及制备工艺以解决上述问题。

技术实现思路

1、针对现有技术所存在的上述缺点，本专利技术提供了一种无卤高tg低介电损耗覆铜板用树脂材料及制备工艺。</p>

2、为实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无卤高Tg低介电损耗覆铜板用树脂材料，其特征在于，包括以下重量份数的原料：改性树脂80～120份，4-氨基苯氧基邻苯二甲腈30～45份，聚合物纳米微球22～40份，三维陶瓷网络填料15～30份，固化剂10～20份，溶剂50～100份；

2.根据权利要求1所述的无卤高Tg低介电损耗覆铜板用树脂材料，其特征在于，所述改性树脂的制备方法为：

3.根据权利要求2所述的无卤高Tg低介电损耗覆铜板用树脂材料，其特征在于，所述聚合物纳米微球的制备方法为：将18～22份2-亚甲基-4-苯基-1，3-二氧戊环与10～12份γ-氨丙基三乙氧基硅烷600～800r/min转速机...

【技术特征摘要】

1.一种无卤高tg低介电损耗覆铜板用树脂材料，其特征在于，包括以下重量份数的原料：改性树脂80～120份，4-氨基苯氧基邻苯二甲腈30～45份，聚合物纳米微球22～40份，三维陶瓷网络填料15～30份，固化剂10～20份，溶剂50～100份；

2.根据权利要求1所述的无卤高tg低介电损耗覆铜板用树脂材料，其特征在于，所述改性树脂的制备方法为：

3.根据权利要求2所述的无卤高tg低介电损耗覆铜板用树脂材料，其特征在于，所述聚合物纳米微球的制备方法为：将18～22份2-亚甲基-4-苯基-1，3-二氧戊环与10～12份γ-氨丙基三乙氧基硅烷600～800r/min转速机械搅拌均匀，滴加含有质量分数5～7％的二乙烯基苯的苯乙烯10～14份，80～95℃下搅拌反应5～7h，低温干燥、制粒，即得纳米微球。

4.根据权利要求3所述的无卤高tg低介电损耗覆铜板用树脂材料，其特征在于，所述三维陶瓷网络填料的制备方法为：将2～3份al(no3)3·9h2o、4～5份na2co3·10h2o、10～11份莫来石粉和10～20份无水乙醇混合，再加入4～6份钛酸四丁酯，置于45～66℃下搅拌反应1～3h，得到前驱体溶液；将前驱体溶液铺在无尘纸上，先烘干得到模板，再将模板置于500～700℃下煅烧，形成具有三维网络形态的模板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：田露，李文才，高成帅，李洪彬，
申请(专利权)人：重庆德凯实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：