一种低DK与DF的高分子组合物、覆铜板及电路板制造技术

本发明专利技术公开了一种低DK与DF的高分子组合物，是由以下重量份的组分制成：含有酯类基团的二酸酐20～60份、含有嘧啶基团的二胺单体1～25份、溶剂100～180份。本发明专利技术还公开了一种所述低DK与DF的高分子组合物制备的覆铜板，包括铜箔及附在铜箔表面的聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层是由所述低DK与DF的高分子组合物涂布在铜箔表面经过加热高温环化形成。本发明专利技术的低DK与DF的高分子组合物解决了DK和DF过高的问题，提供具有聚酰亚胺层的线路板用积层体，所述的聚酰亚胺层与低粗糙度的铜箔搭配时可获得低DK与DF、高传输的特性。

【技术实现步骤摘要】
一种低DK与DF的高分子组合物、覆铜板及电路板
本专利技术属于电子材料
，具体地说，涉及一种低DK与DF的高分子组合物、覆铜板及电路板。
技术介绍
目前PCB的产业技术不管软板与硬板都是往高频、高速以及高密度构装的方法发展，对应产品轻、薄、可携带、多功能化的发展趋势，对于材料以及制备方法的需求会越来越严苛，加上资/通讯行动化所带来数据传输蓬勃发展，高频段(～GHZ)的发展趋势是一种显学，其中最重要的材料特性需求就是LOWDK/DF以及高耐热性、剥离强度。品轻、薄、可携带、多功能化的发展趋势，对于材料以及制备方法的需求会越来越严苛，加上资/通讯行动化所带来数据传输蓬勃发展，高频段(～GHZ)的发展趋势是一种显学，其中最重要的材料特性需求就是LOWDK/DF以及高耐热性、剥离强度。在现有技术中，一般以二胺与二酸酐合成为聚酰胺酸(PAA)，经利用高温环化法进行脱水反应合成为聚酰亚胺(PI)。但因原子团的穆尔极化率高使得DK≧3.0，结构排列不紧使得Df≧0.008，因此要降低Dk与Df在分子结构上需导入酯类官能基与结构上堆栈紧密，如下所示。
技术实现思路
为了解决DK与DF过高的问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低DK与DF的高分子组合物，其特征在于：是由以下重量份的组分制成：含有酯类基团的二酸酐       20～60份；含有嘧啶基团的二胺单体     1～25份；溶剂                       100～180份。

【技术特征摘要】
1.一种低DK与DF的高分子组合物，其特征在于：是由以下重量份的组分制成：含有酯类基团的二酸酐20～60份；含有嘧啶基团的二胺单体1～25份；溶剂100～180份。2.根据权利要求1所述的低DK与DF的高分子组合物，其特征在于：所述含有酯类基团的二酸酐为芳香族四羧酸二酐，优选为对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、双酚A型二醚二酐。3.根据权利要求1所述的低DK与DF的高分子组合物，其特征在于：所述含有嘧啶基团的二胺单体为芳香族二胺，优选为3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、1,4-亚苯基双(4-氨基苯甲酸酯)、对苯二甲酸二对氨基苯酯、对氨基苯甲酸对氨基苯酯、4,4’-二氨基二苯醚、双(4-氨基苯基)对苯二甲酸酯。4.根据权利要求3所述的低DK与DF的高分子组合物，其特征在于：所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、丁内酯、N.N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜；所述含有嘧啶基团的二胺单体为3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、对氨基苯甲酸对氨基苯酯、4,4’-二氨基二苯醚的混合物；所述低DK与DF的高分子组合物的固体含量为30wt％，粘度为30000～60000CPs。5.一种权利要求1至4任一项所述的低DK与DF的高分子组合物制备的覆铜板，其特征在于：包括铜箔及附在铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：周立，
申请(专利权)人：江阴骏驰复合材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32