应用于聚酰亚胺提纯的添加剂、电子级聚酰亚胺产品制造技术

本发明专利技术涉及薄膜材料技术领域，特别是涉及应用于聚酰亚胺提纯的添加剂、电子级聚酰亚胺产品及其制备方法。所述添加剂的结构式如下:

【技术实现步骤摘要】
应用于聚酰亚胺提纯的添加剂、电子级聚酰亚胺产品
本专利技术涉及薄膜材料
，特别是涉及应用于聚酰亚胺提纯的添加剂、电子级聚酰亚胺产品及其制备方法。
技术介绍
聚酰亚胺材料具有优异的耐热性、机械强度、绝缘性、低介电常数等特性，是目前综合性能较优异的绝缘材料。基于以上的优异特性，聚酰亚胺材料被广泛应用于电子产品中，例如，其可以用于制备微型组件基板绝缘膜、芯片载带、柔性线路板以及液晶取向膜等。专利技术人在实现本专利技术的过程中发现：聚酰亚胺材料在制备和运输过程中，容易引入金属离子杂质，从而导致最终制备获得的聚酰亚胺材料的纯度不足。混有杂质的聚酰亚胺最后应用于电子产品时，会影响电子器件的性能。
技术实现思路
本专利技术实施方式其旨在解决现有聚酰亚胺材料纯度不够的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术实施方式采用的一个技术方案是：提供一种应用于聚酰亚胺提纯的添加剂，所述添加剂的结构式如下:所述A1，所述R1，所述R2以及所述R3基团中至少有一个基团能够提供质子或具有未成对自由电子；并且，所述R1，所述R2以及所述R3基团中至少含有一个羧基或者氨基。可选地，所述A1，所述R1，所述R2以及所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于聚酰亚胺提纯的添加剂，其特征在于，所述添加剂的结构式如下:

【技术特征摘要】
1.一种应用于聚酰亚胺提纯的添加剂，其特征在于，所述添加剂的结构式如下:所述A1，所述R1，所述R2以及所述R3基团中至少有一个基团能够提供质子或具有未成对自由电子；并且，所述R1，所述R2以及所述R3基团中至少含有一个羧基或者氨基。2.根据权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述A1，所述R1，所述R2以及所述R3基团中，至少有一个基团为下述基团：－OH、－COOH，－NH－，－NH2，－PH－，RO(OH)2，－SH，－C(＝S)SH。3.根据权利要求2所述的添加剂，其特征在于，所述A1，所述R1、所述R2以及所述R3基团中，至少有一个基团为下述基团：C＝O、－COOR、－N＝O、－NO2、－N＝N－、C＝S，－C≡N，C＝C，－SCN，－PR2。4.根据权利要求1所述添加剂，其特征在于，所述A1为含硫或者含氮基团；所述R1、所述R2、以及所述R3均含氨基或者羧基。5.根据权利要求1所述添加剂，其特征在于，所述A1和所述R3为含硫或者含氮基团；所述R1和所述R2均含氨基或者羧基。6.根据权利要求1所述添加剂，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市大分子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44