多芯片集成扇出封装件制造技术

方法包括用模制材料包围管芯和接近管芯的导电柱，其中，管芯和导电柱设置在第一再分布结构的第一侧上方，其中，第一再分布结构的与第一侧相对的第二侧附接至第一载体；将设置在预制第二再分布结构的第一表面上的导电焊盘接合至管芯和导电柱，其中，预制第二再分布结构的与第一表面相对的第二表面附接至第二载体；在接合导电焊盘之后，去除第二载体以暴露预制第二再分布结构的接近第二表面的导电部件；并且在预制第二再分布结构的导电部件上方形成电连接至预制第二再分布结构的导电部件的导电凸块。本发明专利技术的实施例还涉及多芯片集成扇出封装件。

Multichip Integrated Fan Out Package

The method includes enclosing the tube core and conductive column near the tube core with a moulding material, in which the tube core and conductive column are arranged above the first side of the first redistribution structure, in which the second side of the first redistribution structure relative to the first side is attached to the first carrier, and the conductive pad set on the first surface of the prefabricated second redistribution structure is joined to the tube core and conductive column, wherein, the prefabricated conductive pad is connected to the tube core and conductive column. The second surface relative to the first surface of the second redistribution structure is attached to the second carrier; after bonding the conductive pad, the second carrier is removed to expose the conductive component close to the second surface of the prefabricated second redistribution structure; and a conductive bump is formed over the conductive component of the prefabricated second redistribution structure to the conductive component of the prefabricated second redistribution structure. An embodiment of the present invention also relates to a multi-chip integrated fan-out package.

【技术实现步骤摘要】
多芯片集成扇出封装件
本专利技术的实施例涉及多芯片集成扇出封装件。
技术介绍
由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。随着近来对更小的电子器件的需求的增长，对于半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求也已增长。这些封装技术的实例是叠层封装(POP)技术。在PoP封装件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上，以允许高水平的集成和组件密度。另一实例是多芯片模块(MCM)技术，其中，多个半导体管芯封装在一个半导体封装件中以为半导体器件提供集成功能。先进的封装技术的高度集成使得能够生产具有增强功能和较小的覆盖区的半导体器件，这对于诸如手机、平板电脑和数字音乐播放器的小型器件是有利的。另一优势是缩短连接半导体封装件内的互操作部分的导电路径的长度。这改进了半导体器件的电性能，因为电路之间的互连的较短路由产生了更快的信号传播并且减少了噪声和串扰。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：在第一载体上方形成第一再分布结构；在所述第一再分布结构上方形成导电柱；将第一管芯的第一侧附接至邻近所述导电柱的所述第一再分布结构，所述第一管芯的第二侧远离所述第一再分结构，所述第一管芯的第二侧上设置有管芯连接件；在所述第一再分布结构上方形成模制材料，所述模制材料包围所述第一管芯和所述导电柱；将第二再分布结构的第一侧接合至所述管芯连接件和所述导电柱，将与所述第二再分布结构的第一侧相对的所述第二再分布结构的第二侧附接至第二载体；在接合所述第二再分布结构的第一侧之后去除所述第二载体以暴露所述第二再分布结构的第二侧上的导电部件；以及在去除所述第二载体之后，在所述第二再分布结构的第二侧上的所述导电部件上形成导电凸块。本专利技术的另一实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：用模制材料包围管芯和接近所述管芯的导电柱，其中，所述管芯和所述导电柱设置在第一再分布结构的第一侧上方，其中，所述第一再分布结构的与第一侧相对的第二侧附接至第一载体；将设置在预制第二再分布结构的第一表面上的导电焊盘接合至所述管芯和所述导电柱，其中，所述预制第二再分布结构的与所述第一表面相对的第二表面附接至第二载体；在接合所述导电焊盘之后，去除所述第二载体以暴露所述预制第二再分布结构的接近所述第二表面的导电部件；以及在所述预制第二再分布结构的导电部件上方形成导电凸块，所述导电凸块电连接至所述预制第二再分布结构的导电部件。本专利技术的又一实施例提供了一种半导体封装件，包括：管芯和导电柱，嵌入在模制材料内；第一再分布结构，位于所述管芯的第一侧上并且电连接至所述导电柱；以及第二再分布结构，位于所述管芯的与所述第一侧相对的第二侧上，其中，所述管芯在所述管芯的第二侧上具有管芯连接件，其中，所述第二再分布结构电连接至所述管芯连接件和所述导电柱，并且其中，所述第二再分布结构的第二宽度与所述第一再分布结构的第一宽度不同。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1至图4、图5A、图5B和图6至图9示出了根据实施例的处于各个制造阶段的半导体封装件的各个视图。图10示出了根据实施例的半导体封装件的截面图。图11A、图11B和图12示出了根据实施例的处于各个制造阶段的半导体封装件的各个视图。图13示出了根据实施例的半导体封装件的截面图。图14示出了根据一些实施例的用于形成半导体封装件的方法的流程图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。各个实施例中提供了半导体封装件和形成半导体封装件的方法。在一些实施例中，半导体封装件具有嵌入在模制材料内的管芯，以及位于管芯的相对侧上的再分布结构(例如，背侧再分布结构和前侧再分布结构)。在一些实施例中，前侧再分布结构在附接至管芯之前预形成。在一些实施例中，至少使用镶嵌工艺形成前侧再分布结构，并且因此，实现了导线之间的更精细间距和再分布结构的更高可靠性。图1至图4、图5A、图5B和图6至图9示出了根据实施例的处于各个制造阶段的半导体封装件100的各个视图(例如，截面图、平面图)。在图1中，在载体101上方形成再分布结构110。再分布结构110包括形成在一个或多个介电层中的导电部件(例如，导线和通孔)。导电柱119形成在再分布结构110的上表面上方并且电连接至再分布结构110。载体101可以由诸如玻璃的材料制成，但是也可以使用其它合适的材料，诸如硅、聚合物、聚合物复合材料、金属箔、陶瓷、玻璃环氧树脂、氧化铍或带。在载体101上方形成再分布结构110。再分布结构110包括导电部件，诸如导线(例如，115)和通孔(例如，117)的一层或多层，以及一个或多个介电层(例如，113)。为了简单起见，介电层113在图1中示出为一层，然而，如本领域技术人员容易理解的，介电层113可以包括多个介电层。在一些实施例中，一个或多个介电层113由诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的聚合物形成。在其它实施例中，一个或多个介电层113由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、硼掺杂的磷硅酸盐玻璃(BPSG)等的氧化物形成。可以通过诸如旋涂、化学汽相沉积(CVD)、层压等或它们的组合的任何可接受的沉积工艺形成一个或多个介电层113。在一些实施例中，再分布结构110的导电部件包括由合适的导电材料(诸如铜、钛、钨、铝等)形成的导线(例如，115)、导电通孔(例如，117)。在一些实施例中，通过在再分布结构110的介电层中形成开口以暴露下面的导电部件，在介电层上方和开口中形成晶种层(未示出)，在晶种层上方形成具有设计的图案的图案化光刻胶，在设计的图案中和晶种层上方镀(例如，电镀或化学镀)导电材料，以及去除光刻胶和晶种层的其上未形成导电材料的部分来形成导电部件。在一些实施例中，在形成再分布结构110之前，在载体101上方沉积或层压粘合层(未示出)。粘合层可以是光敏的，并且可以通过例如在随后的载体脱粘工艺中对载体101照射紫外(UV)光而容易地从载体101脱离。例如，粘合层可以是由明尼苏达州圣保罗的3M公司制造的光热转换本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体封装件的方法，包括：在第一载体上方形成第一再分布结构；在所述第一再分布结构上方形成导电柱；将第一管芯的第一侧附接至邻近所述导电柱的所述第一再分布结构，所述第一管芯的第二侧远离所述第一再分结构，所述第一管芯的第二侧上设置有管芯连接件；在所述第一再分布结构上方形成模制材料，所述模制材料包围所述第一管芯和所述导电柱；将第二再分布结构的第一侧接合至所述管芯连接件和所述导电柱，将与所述第二再分布结构的第一侧相对的所述第二再分布结构的第二侧附接至第二载体；在接合所述第二再分布结构的第一侧之后去除所述第二载体以暴露所述第二再分布结构的第二侧上的导电部件；以及在去除所述第二载体之后，在所述第二再分布结构的第二侧上的所述导电部件上形成导电凸块。

【技术特征摘要】
2017.11.15 US 62/586,608;2018.08.01 US 16/052,2771.一种形成半导体封装件的方法，包括：在第一载体上方形成第一再分布结构；在所述第一再分布结构上方形成导电柱；将第一管芯的第一侧附接至邻近所述导电柱的所述第一再分布结构，所述第一管芯的第二侧远离所述第一再分结构，所述第一管芯的第二侧上设置有管芯连接件；在所述第一再分布结构上方形成模制材料，所述模制材料包围所述第一管芯和所述导电柱；将第二再分布结构的第一侧接合至所述管芯连接件和所述导电柱，将与所述第二再分布结构的第一侧相对的所述第二再分布结构的第二侧附接至第二载体；在接合所述第二再分布结构的第一侧之后去除所述第二载体以暴露所述第二再分布结构的第二侧上的导电部件；以及在去除所述第二载体之后，在所述第二再分布结构的第二侧上的所述导电部件上形成导电凸块。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述接合之前预制所述第二再分布结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述接合之后，所述模制材料的远离所述第一再分布结构的顶面与所述第二再分布结构的最靠近所述模制材料的介电层间隔开。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合包括将所述第二再分布结构的第一侧上的导电焊盘接合至所述管芯连接件和所述导电柱。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述导电焊盘通过焊料接头接合至所述管芯连接件和所述导电柱。6.根据权利要求4所述的方法，其中，使用直接接合工艺将所述导电焊盘接合至所述管芯连接件和所述导电柱，其中，所述导电焊盘在所述接合之后物理接触所述管芯连接件和所述导电柱。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，陈宪伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71