薄膜覆晶封装结构制造技术

一种薄膜覆晶封装结构，用以封装晶片。薄膜覆晶封装结构包含可挠性基板、导电层、电镀层及防焊层。导电层形成于可挠性基板上。电镀层形成于导电层上且具有一开口区。防焊层形成于电镀层上并通过开口区与导电层相连。防焊层为单层结构。薄膜覆晶封装结构定义有弯折区。弯折区涵盖于开口区内且弯折区小于或等于开口区。当薄膜覆晶封装结构的弯折区进行弯折时，弯折区内无任何电镀层存在，致使弯折区的耐弯折特性获得提升。

Film Cladding Packaging Structure

【技术实现步骤摘要】
薄膜覆晶封装结构
本专利技术与晶片封装有关，尤其是关于一种薄膜覆晶(Chiponfilm,COF)封装结构。
技术介绍
请参照图1，图1为传统的薄膜覆晶封装结构的示意图。如图1所示，于传统的薄膜覆晶封装结构1中，对应于弯折区BA的迭层结构由下往上依序是可挠性基板10、导电层12、电镀层14及防焊层16。然而，当传统的薄膜覆晶封装结构1的弯折区BA进行弯折时，由于可挠性基板10具有一定的厚度，再加上导电层12上镀有电镀层14，均会造成传统的薄膜覆晶封装结构1的弯折区BA的耐弯折特性不够理想，仍有相当大的改善空间。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种薄膜覆晶封装结构，以有效解决
技术介绍
所遭遇到的上述种种问题。根据本专利技术的一具体实施例为一种薄膜覆晶封装结构。于此实施例中，薄膜覆晶封装结构用以封装晶片。薄膜覆晶封装结构包含可挠性基板、导电层、电镀层及防焊层。导电层形成于可挠性基板的第一面上。电镀层形成于导电层上且具有一开口区。防焊层形成于电镀层上并通过开口区与导电层相连。防焊层为单层结构。薄膜覆晶封装结构定义有一弯折区。弯折区涵盖于开口区内且弯折区小于或等于开口区。当薄膜覆晶封装结构的弯折区进行弯折时，弯折区内无任何电镀层存在，致使弯折区的耐弯折特性获得提升。于一实施例中，可挠性基板由聚亚酰胺(polyimide,PI)或其他可挠性材料构成。于一实施例中，导电层由铜(Copper)或其他导电材料构成。于一实施例中，电镀层由锡(Tin)或其他电镀材料构成。于一实施例中，可挠性基板具有一第一厚度，位于弯折区内的可挠性基板形成有一应力释放部，至少一部分的应力释放部具有一第二厚度，且第二厚度小于第一厚度，致使弯折区的耐弯折特性获得提升。于一实施例中，应力释放部形成于可挠性基板的第二面上，且第二面与第一面彼此相对。于一实施例中，应力释放部通过镭射切断或湿式蚀刻的方式形成。于一实施例中，位于弯折区内的导电层所形成的线路包含至少一非直线图样。于一实施例中，该至少一非直线图样为蛇形图样或钻石形图样。根据本专利技术的另一具体实施例为一种薄膜覆晶封装结构。于此实施例中，薄膜覆晶封装结构用以封装晶片。薄膜覆晶封装结构包含可挠性基板、导电层、电镀层及防焊层。可挠性基板具有第一厚度。导电层形成于可挠性基板的第一面上。电镀层形成于导电层上。防焊层形成于电镀层上。薄膜覆晶封装结构定义有一弯折区。位于弯折区内的可挠性基板形成有一应力释放部，至少一部分的应力释放部具有一第二厚度，且第二厚度小于第一厚度，致使弯折区的耐弯折特性获得提升。相较于
技术介绍
，根据本专利技术的薄膜覆晶封装结构针对其弯折区内的迭层结构进行改善，使得弯折区内无任何电镀层存在及/或弯折区内至少一部分的可挠性基板的厚度变薄，均可有效提升薄膜覆晶封装结构的弯折区的耐弯折特性。此外，位于弯折区内的导电层所形成的线路包含非直线图样，亦可增加弯折区的耐弯折性。关于本专利技术的优点与精神可以通过以下的专利技术详述及附图得到进一步的了解。附图说明图1为传统的薄膜覆晶封装结构的示意图。图2至图6分别为根据本专利技术的不同具体实施例中的薄膜覆晶封装结构的示意图。图7A至图7C分别为位于弯折区内的导电层所形成的线路包含直线图样、蛇形图样及钻石形图样的示意图。主要元件符号说明：1～6：薄膜覆晶封装结构10、20、30、40、50、60：可挠性基板12、22、32、42、52、62：导电层14、24、34、44、54、64：电镀层16、26、36、46、56、66：防焊层18、28、38、48、58、68：连接端子19、29、39、49、59、69：封装层IC：晶片BA：弯折区OP：开口区D1：第一厚度D2：第二厚度300、400、500、600：应力释放部7A：直线图样7B：蛇形图样7C：钻石形图样具体实施方式根据本专利技术的一具体实施例为一种薄膜覆晶封装结构。于此实施例中，薄膜覆晶封装结构用以将晶片封装于可挠性基板，但不以此为限。请参照图2，图2为根据此实施例中的薄膜覆晶封装结构的示意图。如图2所示，薄膜覆晶封装结构2用以封装晶片IC。薄膜覆晶封装结构2包含可挠性基板20、导电层22、电镀层24、防焊层26、连接端子28及封装层29。实际上，可挠性基板可由聚亚酰胺(polyimide,PI)或其他可挠性材料构成；导电层可由铜(Copper)或其他导电材料构成；电镀层可由锡(Tin)或其他电镀材料构成，但均不以此为限。导电层22形成于可挠性基板20上。电镀层24形成于导电层22上且具有一开口区OP。防焊层26形成于电镀层24上并通过开口区OP与导电层22相连。防焊层26为单层结构。晶片IC通过连接端子28设置于电镀层24上。封装层29填充于晶片IC与可挠性基板20之间以及可挠性基板20防焊层26之间。薄膜覆晶封装结构2定义有弯折区BA，用以通过弯折区BA来对薄膜覆晶封装结构2进行弯折。弯折区BA涵盖于开口区OP内且弯折区BA小于或等于开口区OP。当薄膜覆晶封装结构2的弯折区BA进行弯折时，弯折区BA内无任何电镀层24存在，致使弯折区BA的耐弯折特性获得提升。此外，由于此实施例中的防焊层26为单层结构，故仅需单次的防焊层涂布工艺即可达成。然后，请参照图3，于另一实施例中，薄膜覆晶封装结构3包含可挠性基板30、导电层32、电镀层34、防焊层36、连接端子38及封装层39。薄膜覆晶封装结构3与前述薄膜覆晶封装结构2不同之处在于：可挠性基板30具有第一厚度D1，而位于弯折区BA内的可挠性基板30形成有应力释放部300。实际上，应力释放部300形成于可挠性基板30的第二面上，且设置应力释放部300的第二面与设置导电层32的第一面彼此相对。应力释放部300可通过雷射切断或湿式蚀刻的方式形成，但不以此为限。至于应力释放部300的形状与大小亦可视实际需求而设计，只要能让位于弯折区BA内的可挠性基板30至少有一部分的厚度变薄即可，并不以此为限。至少一部分的应力释放部300具有第二厚度D2，且第二厚度D2小于第一厚度D1。于此实施例中，位于弯折区BA内的可挠性基板30的厚度均为较薄的第二厚度D2，当薄膜覆晶封装结构3的弯折区BA进行弯折时，会比传统的薄膜覆晶封装结构1容易弯折，致使弯折区BA的耐弯折特性获得提升。接着，请参照图4，于另一实施例中，薄膜覆晶封装结构4包含可挠性基板40、导电层42、电镀层44、防焊层46、连接端子48及封装层49。薄膜覆晶封装结构4与前述薄膜覆晶封装结构3不同之处在于：位于弯折区BA内的可挠性基板40形成有应力释放部400，致使位于弯折区BA内的可挠性基板40一部分具有较薄的第二厚度D2，另一部分则仍具有第一厚度D1。当薄膜覆晶封装结构4的弯折区BA进行弯折时，仍会比传统的薄膜覆晶封装结构1容易弯折，致使弯折区BA的耐弯折特性获得提升。至于应力释放部400的形状与大小亦可视实际需求而设计，只要能让位于弯折区BA内的可挠性基板40至少有一部分的厚度变薄即可，并不以此为限。然后，请参照图5，于另一实施例中，薄膜覆晶封装结构5包含可挠性基板50、导电层52、电镀层54、防焊层56、连接端子58及封装层59。薄膜覆晶封装结构5结合了前述薄膜覆晶封装结构2与薄膜覆晶封装结构3的优点，薄膜覆晶封装结构5的弯折区B本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.﹑一种薄膜覆晶封装结构，用以封装一晶片，其特征在于，该薄膜覆晶封装结构包含：一可挠性基板；一导电层，形成于该可挠性基板的一第一面上；一电镀层，形成于该导电层上且具有一开口区；以及一防焊层，形成于该电镀层上并通过该开口区与该导电层相连，该防焊层为单层结构；其中，该薄膜覆晶封装结构定义有一弯折区，该弯折区涵盖于该开口区内且该弯折区小于或等于该开口区，当该薄膜覆晶封装结构的该弯折区进行弯折时，该弯折区内无任何该电镀层存在，致使该弯折区的耐弯折特性获得提升。

【技术特征摘要】
2017.11.09 US 62/583,6361.﹑一种薄膜覆晶封装结构，用以封装一晶片，其特征在于，该薄膜覆晶封装结构包含：一可挠性基板；一导电层，形成于该可挠性基板的一第一面上；一电镀层，形成于该导电层上且具有一开口区；以及一防焊层，形成于该电镀层上并通过该开口区与该导电层相连，该防焊层为单层结构；其中，该薄膜覆晶封装结构定义有一弯折区，该弯折区涵盖于该开口区内且该弯折区小于或等于该开口区，当该薄膜覆晶封装结构的该弯折区进行弯折时，该弯折区内无任何该电镀层存在，致使该弯折区的耐弯折特性获得提升。2.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该可挠性基板由聚亚酰胺或其他可挠性材料构成。3.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该导电层由铜或其他导电材料构成。4.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该电镀层由锡或其他电镀材料构成。5.﹑如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该可挠性基板具有一第一厚度，位于该弯折区内的该可挠性基板形成有一应力释放部，至少一部分的该应力释放部具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度，致使该弯折区的耐弯折特性获得提升。6.﹑如权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该应力释放部形成于该可挠性基板的一第二面上，且该第二面与该第一面彼此相对。7.﹑如权利要求5所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，该应力释放部通过镭射切断或湿式蚀刻的方式形成。8.﹑如权利要求1所述的薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈进勇，
申请(专利权)人：瑞鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71