具有表面安装结构的扁平无引线封装体制造技术

本公开涉及具有表面安装结构的扁平无引线封装体。表面安装结构的端部包括凹陷构件，表面安装结构特别是通过凹陷构件的侧壁被耦合至扁平无引线半导体封装体的引线。

Flat lead-free package with surface mounting structure

【技术实现步骤摘要】
具有表面安装结构的扁平无引线封装体
本公开涉及一种具有表面安装结构的扁平无引线半导体封装体和一种具有可湿侧壁的表面安装器件。
技术介绍
典型的引线框架封装体包括其背侧被耦合至引线框架并且其有源侧被耦合至各个电接触的半导体管芯。然后使用包封剂来覆盖组合的管芯和引线框架以产生引线框架封装体。对于扁平无引线封装体，一种特定类型的引线框架封装体，引线被暴露在封装体的表面上，但是不会延伸到封装体的侧面之外。在扁平无引线封装体的表面(底表面)上，引线可以被定位在封装体的任意两个侧面或者封装体的包围被耦合至半导体管芯的暴露的热焊盘的四个侧面上。可能存在被定位在封装体的侧面与热焊盘之间并且被用于其它连接功能的其它引线。
技术实现思路
本公开的示例涉及一种引线框架封装体，该引线框架封装体具有通过耦合介质被耦合至引线框架封装体的暴露的引线的表面安装结构。引线框架封装体的引线框架包括多个暴露的金属引线和引线框架的表面上的管芯焊盘。半导体电路管芯被安装在管芯焊盘上并且被电耦合至暴露的金属引线中的一些暴露的金属引线。表面安装结构包括多个端部，每个端部被耦合至暴露的引线。表面安装结构还包括被耦合在多个端部之间的电气元件，并且通过端部被电耦合至引线框架。端部可以包括凹陷构件，使得耦合介质可以被接纳在该凹陷构件中，并且使得除了用于耦合的平坦表面之外或者代替用于耦合的平坦表面，表面安装结构的端部还包括用于耦合至暴露的引线的可湿侧壁。对附图中的若干视图的简要描述在附图中，除非上下文另有说明，否则相同的附图标记表示相似的元件或者动作。不一定按比例绘制附图中的元件的大小和相对位置。图1A是具有表面安装结构的扁平无引线封装体的表面的平面视图；图1B是图1A的扁平无引线封装体的横截面视图；图2是表面安装结构的概念性三维视图；图3是表面安装结构的横截面视图；图4是具有凹陷构件的投影视图的表面安装结构的顶表面的平面视图；图5A至图5F是表面安装结构的各个示例的横截面视图；图6A至图6C是将表面安装结构耦合至扁平无引线封装体的过程的各个阶段的横截面视图；图7是具有表面安装结构的另一扁平无引线封装体的表面的平面视图；图8A是表面安装结构的另一示例的概念性三维视图；图8B是具有多个凹陷构件的投影视图的另一示例表面安装结构的顶表面的平面视图。具体实施方式在以下描述中，阐述了某些具体细节以提供对本公开的各个实施例的透彻理解。然而，本领域的技术人员要明白，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其它实例中，没有详细描述与电子部件和制造技术相关联的众所周知的结构以避免不必要地模糊对本公开的实施例的描述。除非上下文另有要求，否则贯穿本说明书和随附的权利要求书，应该在开放性、包括性意义上解释词语“包括(comprise)”及其变体(诸如“包括(comprises)”和“包括(comprising)”)，即，解释为“包括但不限于”。使用诸如第一、第二和第三等序数不一定暗示顺序的排名意义，而是可以仅区分动作或者结构的多个实例。贯穿本说明书，对“一个实施例”或者“实施例”的涉及意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或者特性被包括在至少一个实施例中。因此，在贯穿本说明的各处中出现的短语“在一个实施例中”或者“在实施例中”不一定全部指的是同一实施例。此外，在一个或者多个实施例中，可以按照任何合适的方式来组合特定特征、结构或者特性。如在本说明书和随附权利要求书中使用的，单数形式“一”、“一个”和“所述”包括复数指示物，除非内容另有明确说明。还应该注意，术语“或者”通常在其包括“和/或”的意义上采用，除非内容另有明确说明。本公开通常涉及提供一种具有表面安装结构的引线框架封装体，例如扁平无引线封装体。在图1A中示出了包括衬底110和表面安装结构120的示例扁平无引线封装体(器件)100。在该示例中，衬底110(本文称为“封装体”)的表面(例如顶表面)112可以包括多个暴露的引线114、116。暴露的引线114被定位在封装体110的侧面/边缘上。通常，在封装体110的侧面上的引线114还可以被暴露在侧壁(未示出)上，例如，以促进焊接至PCB。即，引线114可以延伸至表面112的外围设备。暴露的引线116可以被定位在表面112内，即，不延伸至表面112的外围设备，并且可以用于提供连接/互连的更多可能性。通过使用已知技术来将一个或者多个半导体电路管芯118安装在封装体110的顶表面112上。管芯118可以在其中包括多个电路，并且可以在其连接至与引线116类似的引线(或者焊盘)的底部上包括结合焊盘。如在本领域中众所周知的，无法看到在管芯118之下的引线，因为管芯位于引线上并且完全覆盖引线。此处，封装体110由大量层压的导电层和绝缘层组成，这些导电层和绝缘层按照本领域已知的方式提供从管芯118到各条引线114和引线116的电气连接。表面安装结构120可以被安装在衬底110的表面112上。具体地，表面安装结构120可以包括一个或者多个(示出为两个)端部122、端部124，每个端部被耦合至暴露的引线114、引线116(示出为被耦合至两条引线116)。可以通过耦合介质(例如焊膏和/或粘合剂)来将端部122、端部124耦合至暴露的引线116。粘合剂可包括导电胶或者环氧树脂。其它耦合介质/材料(例如其它管芯附接膜)也是可能的并且被包括在本公开中。将通过衬底110内的引线来将该表面安装结构120耦合至管芯118的特定引脚或者焊盘，并且绝缘层将在这些引线的上方和下方以使它们彼此电绝缘。图1B示出了从切割线1B-1B截取的器件100的示例横截面视图。参照图1B，管芯118被附接至管芯焊盘126，该管芯焊盘126是与引线116相同的引线框架的部分。管芯118可以被接线至金属部分116A，该金属部分116A可以是引线116的集成部分或者可以通过(一个或多个)引线来将该金属部分116A连接至引线116。表面安装器件120的端部122(被示出为具有边缘表面128)经由耦合介质130被耦合至引线116。图1B还示出了被定位在管芯118与管芯焊盘126之间的管芯附接层132(例如粘合剂)。管芯118可以由例如，是模制化合物的包封层134进行包封。表面安装器件120可以由例如，是模制化合物的包封层136进行包封。应该理解的是，包封层134和136可以是利用相同工艺步骤形成的相同包封层，或者可以利用不同的工艺步骤来形成包封层134和136。例如，可以首先对管芯118进行包封，并且将表面安装器件120耦合至引线116并且在另一后续工艺中进行包封。如在图1B中示出的，作为示例，半导体管芯118和表面安装结构120被附接至衬底110的相同表面112。该示例不是限制性的，并且半导体管芯和表面安装结构120可以被附接至衬底110的相对的表面，这也包括在本公开中。图2示出了表面安装结构120的概念性三维视图。如在图2中示出的，表面安装结构120的端部122可以包括端部122的边缘表面128上的凹陷构件226。在示例中，凹陷构件226是被限定在端部122的边缘表面128内的腔部。即，凹部(腔)部分226的高度小于端部122在边缘表面128处的高度，并且凹部部分226的宽度W2小于端部122在边缘表面128处的宽度W1。本文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：衬底，具有第一多个暴露的金属引线和第二多个暴露的金属引线以及在所述衬底的表面上的焊盘；半导体电路管芯，被安装在所述焊盘上、并且被电耦合至所述衬底上的所述第一多个暴露的金属引线；以及表面安装结构，被安装在所述衬底的第一表面上、并且被电耦合至所述衬底的所述第一表面，所述表面安装结构包括被耦合在第一端部与第二端部之间的电气元件，所述第一端部被耦合至所述第二多个暴露的金属引线中的第一暴露的金属引线，并且所述第二端部被耦合至所述第二多个暴露的金属引线中的第二暴露的金属引线，以将所述表面安装结构电连接至所述衬底的所述第一表面，并且所述第一端部包括被定位在耦合边缘周围的凹陷构件，在所述耦合边缘处，所述第一端部被耦合至所述第一暴露的金属引线；以及耦合介质，在所述第一端部与所述第一暴露的金属引线之间，所述耦合介质被至少部分地定位在所述凹陷构件内。

【技术特征摘要】
2017.11.09 US 15/808,6801.一种器件，包括：衬底，具有第一多个暴露的金属引线和第二多个暴露的金属引线以及在所述衬底的表面上的焊盘；半导体电路管芯，被安装在所述焊盘上、并且被电耦合至所述衬底上的所述第一多个暴露的金属引线；以及表面安装结构，被安装在所述衬底的第一表面上、并且被电耦合至所述衬底的所述第一表面，所述表面安装结构包括被耦合在第一端部与第二端部之间的电气元件，所述第一端部被耦合至所述第二多个暴露的金属引线中的第一暴露的金属引线，并且所述第二端部被耦合至所述第二多个暴露的金属引线中的第二暴露的金属引线，以将所述表面安装结构电连接至所述衬底的所述第一表面，并且所述第一端部包括被定位在耦合边缘周围的凹陷构件，在所述耦合边缘处，所述第一端部被耦合至所述第一暴露的金属引线；以及耦合介质，在所述第一端部与所述第一暴露的金属引线之间，所述耦合介质被至少部分地定位在所述凹陷构件内。2.根据权利要求1所述的器件，其中所述耦合介质包括导电粘合剂。3.根据权利要求1所述的器件，其中所述凹陷构件是延伸通过所述第一端部的两个相对侧壁的台阶部分。4.根据权利要求1所述的器件，其中所述凹陷构件是被限定在所述第一端部的边缘表面内的腔部。5.根据权利要求4所述的器件，其中所述腔部是局部凹坑部分。6.根据权利要求1所述的器件，其中所述凹陷构件的高度等于或者大于所述第一端部的高度的一半。7.根据权利要求1所述的器件，其中所述凹陷构件在其最宽部分的宽度等于或者大于所述第一端部的宽度的百分之七十五。8.根据权利要求5所述的器件，其中所述局部凹坑部分在所述第一端部的底部边缘的宽度等于或者大于所述第一端部的宽度的百分之七十五。9.根据权利要求1所述的器件，其中所述表面安装结构内的所述电气元件包括无源半导体元件。10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·罗德里奎兹，A·M·阿谷唐，M·G·马明，
申请(专利权)人：意法半导体公司，
类型：发明
国别省市：菲律宾,PH