包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物制造技术

本发明专利技术涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明专利技术涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。

Compounds containing triazine, fluorene and aromatic groups

The invention relates to a compound comprising triazine group, fluorene group and aromatic group. Specifically, the present invention relates to a compound according to formula 1, which is suitable for use as a layer material for electronic devices, and to an organic semiconductor layer containing at least one of the compounds, as well as to an organic electronic device containing at least one of the organic semiconductor layers and a method for manufacturing the organic electronic devices.

【技术实现步骤摘要】
包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物
本专利技术涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本专利技术涉及适合用作电子器件的层材料的具有三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物，并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
技术介绍
作为自发光器件的有机电子器件，例如有机发光二极管OLED，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依序层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。当电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态降到基态时，发出光。空穴和电子的注入和流动应该平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长寿命。有机发光二极管的性能可能受到有机半导体层的特性的影响，并且尤其可能受到有机半导体层的有机材料的特性的影响。特别地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式1化合物，

【技术特征摘要】
2017.11.09 EP 17200901.11.一种式1化合物，其中R1选自C1至C16烷基、被取代或未被取代的C6至C24芳基、或被取代或未被取代的C2至C24杂芳基，其中所述被取代的C6至C24芳基和所述被取代的C2至C24杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟化的C1至C16烷基、部分或全氟化的C1至C16烷氧基、F、CN、C6至C18芳基或C3至C25杂芳基；Ar1选自C1至C16烷基、被取代或未被取代的C6至C24芳基、或被取代或未被取代的C2至C24杂芳基，其中所述被取代的C6至C24芳基或被取代的C2至C24杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟化的C1至C16烷基、部分或全氟化的C1至C16烷氧基、F、C6至C18芳基或C3至C25杂芳基；Ar2选自-C6H5CN或含有N、O或S的C2至C24杂芳基；Ar3选自被取代或未被取代的C6至C24亚芳基、或被取代或未被取代的C2至C24亚杂芳基，其中所述被取代的C6至C24亚芳基的取代基或所述被取代的C2至C24亚杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟化的C1至C16烷基、部分或全氟化的C1至C16烷氧基、F、C6至C18芳基或C3至C25杂芳基；其中Ar1的被取代的C6至C24芳基或被取代的C2至C24杂芳基是单取代或二取代的；并且其中Ar3的被取代的C6至C24亚芳基或被取代的C2至C24亚杂芳基是单取代或二取代的；其中Ar2可以不包含咔唑基基团并且可以不包含吲哚并咔唑基基团。2.根据权利要求1所述的式1化合物，其中Ar2包含至少一个杂芳基/亚杂芳基，所述杂芳基/亚杂芳基包含至少一个N或至少一个CN取代基。3.根据权利要求1所述的式1化合物，其中式1化合物的偶极矩为>0.6德拜且≤10德拜；并且其中所计算的HOMO比-5.4eV更负。4.根据权利要求1所述的式1化合物，其中Ar2具有电子受体特性。5.根据权利要求1所述的式1化合物，其中R1选自C1至C16烷基、被取代或未被取代的C6至C24芳基、或被取代或未被取代的C2至C24杂芳基，其中所述被取代的C6至C24芳基和所述被取代的C2至C24杂芳基的取代基选自C1至C16烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：本杰明·舒尔策，多玛果伊·帕维奇科，雷吉娜·卢舍蒂尼特兹，弗朗索瓦·卡尔迪纳利，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE