半导体扩散设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体扩散设备，包括扩散炉体、加热装置及若干个冷却器件；扩散炉体用于容纳承载晶圆的晶舟，其炉管一端封闭，另一端具有装卸通口；加热装置环绕扩散炉体，用于给扩散炉体加热，加热装置内自上而下分成若干个加热区域；若干个冷却器件位于加热装置上，且与若干个加热区域一一对应设置，用于给对应的加热区域进行调整式降温。采用本实用新型专利技术的半导体扩散设备，能实现对不同区域的降温速率进行调整，使不同区域的降温速率实现一致，使得最终从扩散炉体内被移至室温环境中的所有晶圆的温度都一致，避免因温度差异引发热损伤导致晶圆上的器件失效，同时便于后续工艺的温度管理，有助于提高生产良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体扩散设备
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体扩散设备。
技术介绍
扩散工艺是集成电路制造中最主要的掺杂工艺，它是在高温条件下，将磷、硼等原子扩散到晶圆内，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。现有的扩散工艺绝大部分都是以批次型处理方式进行的，即将多个批次的上百片乃至数百片晶圆同时放入扩散炉中进行扩散处理，由此可以极大提高生产效率。但潜在的风险是，一旦设备出现故障或工艺出现异常，受到影响的晶圆数量也是成倍增加，因而对半导体扩散设备的管理需格外严格，要尽力将潜在的易引起工艺不良的风险在事前予以排除。随着集成电路技术的飞速发展，器件的关键尺寸日益缩小而单个芯片上所包含的器件种类及数量越来越多，使得工艺生产中的微小差异都可能对器件性能造成巨大影响，比如在晶圆的扩散工艺结束后，因为现有的扩散设备本身的结构原因，使得扩散沉积工艺结束后，不同区域的降温速率呈现出差异，导致最终被转移至常温环境中的晶圆的温度不同，这种温度差异不仅对晶圆本身产生不良影响，比如因热损伤导致晶圆上的器件失效，同时对后续工艺也会产生不良影响。如图1所示的现有扩散设备中，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体扩散设备，其特征在于，包括：扩散炉体，用于容纳承载晶圆的晶舟，所述扩散炉体内的炉管空间一端封闭，炉管另一端具有装卸通口；加热装置，环绕所述扩散炉体，用于给所述扩散炉体加热，依照所述扩散炉体的设置高度，所述加热装置内自上而下划分成若干个加热区域；及，若干个冷却器件，位于所述加热装置上，且与若干个所述加热区域一一对应设置，用于给对应的所述加热区域调整式降温。

【技术特征摘要】
1.一种半导体扩散设备，其特征在于，包括：扩散炉体，用于容纳承载晶圆的晶舟，所述扩散炉体内的炉管空间一端封闭，炉管另一端具有装卸通口；加热装置，环绕所述扩散炉体，用于给所述扩散炉体加热，依照所述扩散炉体的设置高度，所述加热装置内自上而下划分成若干个加热区域；及，若干个冷却器件，位于所述加热装置上，且与若干个所述加热区域一一对应设置，用于给对应的所述加热区域调整式降温。2.根据权利要求1所述的半导体扩散设备，其特征在于：所述冷却器件包括风扇，所述风扇包括开启/转速调节/关闭三种工作模式。3.根据权利要求1所述的半导体扩散设备，其特征在于：所述加热区域包括自上而下依次相接的顶部加热区域、上半部加热区域、中间加热区域、下半部加热区域及底部加热区域，所述冷却器件包括5个，以给对应的5个所述加热区域进行调整式降温，所述若干个加热区域上下边缘占用的高度相同，每一所述加热区域上下边缘占用的高度大...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34