【技术实现步骤摘要】
一种高驱动电流半浮栅晶体管及其制备方法
本专利技术属于集成电路器件制造
，具体涉及一种高驱动电流半浮栅晶体管及其制备方法。
技术介绍
目前，集成电路芯片中使用的DRAM器件主要为1T1C结构，即一个晶体管串联一个电容器，通过晶体管的开关实现对电容器的充电和放电，从而实现DRAM器件0和1之间的转换。随着器件尺寸越来越小，集成电路芯片中使用的DRAM器件正面临越来越多的问题，比如DRAM器件要求64ms刷新一次，因此电容器的电容值必须保持在一定数值以上以保证有足够长的电荷保持时间，但是随着集成电路特征尺寸的缩小，大电容的制造已经越来越困难，而且已经占了制造成本的30%以上。半浮栅晶体管是DRAM器件的替代概念，不同于通常的1T1C结构，半浮栅器件由一个浮栅晶体管和嵌入式隧穿晶体管组成，通过嵌入式隧穿晶体管的沟道对浮栅晶体管的浮栅进行写入和擦除操作。从半浮栅晶体管的工作原理我们可以看出，半浮栅晶体管的擦写速度由嵌入式隧穿晶体管的驱动电流决定。因此，如何进一步提高隧穿晶体管的驱动电流成为进一步提高半浮栅晶体管速度或者降低隧穿晶体管漏极电压，降低功耗的关键。专利技术...
【技术保护点】
1.一种高驱动电流半浮栅晶体管，其特征在于，包括：Si衬底，具有第一掺杂类型；U型槽，形成于所述Si衬底中；第一栅极叠层，包括第一栅介质层和浮栅，其中，所述第一栅介质层覆盖所述U型槽的表面并部分覆盖所述Si衬底表面，在所述Si衬底表面形成开口，所述浮栅覆盖所述第一栅介质层，在所述开口处与所述Si衬底表面相接触；第二栅极叠层，包括第二栅介质层和多晶硅层，其中，所述多晶硅层具有第一掺杂类型，所述第二栅介质层覆盖所述浮栅表面和部分所述Si衬底表面，所述多晶硅层覆盖所述第二栅介质层；栅极侧墙，位于所述第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；以及源区和漏区，为第二掺杂类型的SiC，形成于所述...
【技术特征摘要】
1.一种高驱动电流半浮栅晶体管，其特征在于，包括：Si衬底，具有第一掺杂类型；U型槽，形成于所述Si衬底中；第一栅极叠层，包括第一栅介质层和浮栅，其中，所述第一栅介质层覆盖所述U型槽的表面并部分覆盖所述Si衬底表面，在所述Si衬底表面形成开口，所述浮栅覆盖所述第一栅介质层，在所述开口处与所述Si衬底表面相接触；第二栅极叠层，包括第二栅介质层和多晶硅层，其中，所述多晶硅层具有第一掺杂类型，所述第二栅介质层覆盖所述浮栅表面和部分所述Si衬底表面，所述多晶硅层覆盖所述第二栅介质层；栅极侧墙，位于所述第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；以及源区和漏区，为第二掺杂类型的SiC，形成于所述Si衬底中，位于所述第一、第二栅极叠层两侧。2.根据权利要求1所述的高驱动电流半浮栅晶体管，其特征在于，所述第一、第二栅介质层为SiO2。3.根据权利要求1所述的高驱动电流半浮栅晶体管，其特征在于，所述浮栅为第一掺杂类型的多晶硅。4.根据权利要求1所述的高驱动电流半浮栅晶体管，其特征在于，所述第一种掺杂类型为p型，所述第二种掺杂类型为n型；或者，所述第一种掺杂类型为n型，所述第二种掺杂类型为p型。5.根据权利要求1所述的高驱动电流半浮栅晶体管，其特征在于，所述Si衬底为体硅或绝缘体上硅。6.一种高驱动电流半浮栅晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有第一掺杂类型的Si衬底；第一栅极叠层形成步骤，在所述Si衬底上形成第一...
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