用于调整半导体晶体管的驱动电流的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了用于修复晶体管的方法和装置，包括：给PFET的源极施加第一电压，给PFET的栅极施加第二电压，以及给PFET的漏极施加第三电压达预定时间。其中第一电压大于第二电压，并且第二电压大于第三电压。本发明专利技术人已经确定，通过施加这些电压，被捕获于栅极电介质内的空穴将会减少。以此方式，可以修复半导体结构或者使其恢复至或接近最初的操作特性。另一种实施例是通过给NFET的漏极施加第一电压、给NFET的栅极施加第二电压以及给NFET的源极施加第三电压达预定时间来修复NFET晶体管的方法和装置。第一电压大于第二电压，而第二电压大于第三电压。如同在第一实施例中所示出的，本发明专利技术的目的是修复晶体管。在NFET的情形中，电子在正常的操作期间聚积于栅极电介质上。通过按照所描述的方式来施加电压，可以修复晶体管以使其在处于或接近于最初的规范下操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于修复晶体管的方法，包括：给PFET(300)的源极(304)施加第一电压达第一预定时间；给所述PFET(300)的栅极(302)施加第二电压达所述第一预定时间；以及给所述PFET的漏极(306)施加第三电压达所述第一预定时间，其中所述第一电压大于所述第二电压，而所述第二电压大于所述第三电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志坚，王平川，冯凯棣，爱德华·J·小浩斯泰特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US