有电流测量单元的集成功率晶体管电路装置及其制造方法制造方法及图纸

集成功率晶体管电路装置包括具有第一部段（310）和第二部端（320）的接触结构（300）。第一部段（310）在单元区（500）中与晶体管单元（100）的掺杂区域（112）相接触。第二部段（320）包括一个或者多个第一子部段（321），第一子部段连接第一部段（310）并且自身在选择的晶体管单元的区域中经过单元区（500）向外延伸。第二子部段（322）连接第一子部段（321）并且设计类似用于将源极区域与功率晶体管单元连接的分接导线。在单元区（500）的区域中，电极结构位于接触结构上，在第二部段（320）的上方缺少该电极结构。由此分接导线与电极结构间距狭窄地设计，从而通过分接导线仅仅略微减少有效的芯片面积。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成功率晶体管电路装置，其特征在于，至少一个布置在单元区（500）中的晶体管单元（100），所述晶体管单元具有掺杂区域（110），所述掺杂区域形成在半导体基底（190）中，并且在所述半导体基底（190）的第一侧上邻接于第一表面（101）；电极结构，所述电极结构在所述半导体基底（190）的所述第一侧上形成在所述单元区（500）垂直于所述第一表面（101）的投影中；并且接触结构（300），所述接触结构形成在所述半导体基底（190）的所述第一侧上，并且与所述掺杂区域（110）和所述电极结构导电连接，其中，所述接触结构（300）具有在所述电极结构和所述半导体基底（190）之间的第一部段（310）以及在所述单元区（500）外部的第二部段（320），并且所述第二部段（320）利用接口结构连接所述第一部段（310）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：布里塔·武特，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：