一种集成功率晶体管的金属布局结构制造技术

技术编号:9186985 阅读:109 留言:0更新日期:2013-09-20 06:09
本申请公开了一种集成功率晶体管的金属布局结构。所述集成功率晶体管的金属布局结构包括:第一金属层,第二金属层和第三金属层,其中所述第一金属层通过通孔连接至第二金属层;所述第二金属层通过超级通孔连接至第三金属层。本申请公开的集成功率晶体管的金属布局结构减小了金属连接阻抗,提高了系统性能。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成功率晶体管的金属布局结构,其特征在于,所述集成功率晶体管的金属布局结构包括:?第一金属层,第二金属层和第三金属层,其中?所述第一金属层通过通孔连接至第二金属层;?所述第二金属层通过超级通孔连接至第三金属层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐鹏
申请(专利权)人:成都芯源系统有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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