半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体器件，属于半导体技术领域。该半导体器件包括：半导体衬底；第一绝缘层，位于所述半导体衬底上表面；存储节点接触塞，位于第一绝缘层内；浅凹槽，位于所述存储节点接触塞上方；第一电极层，具有电容图形，并覆盖所述浅凹槽的内壁；介电层，覆盖所述第一电极层的表面；第二电极材料，填充所述介电层之间的空隙与所述浅凹槽。本实用新型专利技术可以提高电容元件的结构稳定性，并增加电容的电荷储存量，减少存储数据的流失，提高存储器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
随着半导体器件尺寸的减小，增加了半导体制造工艺的难度。对于半导体中的电容元件，在小尺寸的情况下，为了提高其电容，需要增加其深宽比(AspectRatio)，随着深宽比的增加，电容结构的稳定性下降，甚至可能发生坍塌；此外，在应用于存储器件时，电容元件的老化通常会导致漏电流的增大，对于小尺寸的电容产生较大的影响，可能导致存储数据的流失，降低存储器件的使用寿命。因此需要提出一种新的半导体器件的制造方法。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体器件，进而至少在一定程度上克服现有的半导体器件中电容元件结构不稳定以及存储数据流失的问题。本技术的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本技术的实践而习得。根据本技术的一个方面，提供一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层内形成存储节点接触塞(Storagenodecontact，SNC)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；第一绝缘层，位于所述半导体衬底上表面；存储节点接触塞，位于第一绝缘层内；浅凹槽，位于所述存储节点接触塞上方；第一电极层，具有电容图形，并覆盖所述浅凹槽的内壁；介电层，覆盖所述第一电极层的表面；第二电极材料，填充所述介电层之间的空隙与所述浅凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；第一绝缘层，位于所述半导体衬底上表面；存储节点接触塞，位于第一绝缘层内；浅凹槽，位于所述存储节点接触塞上方；第一电极层，具有电容图形，并覆盖所述浅凹槽的内壁；介电层，覆盖所述第一电极层的表面；第二电极材料，填充所述介电层之间的空隙与所述浅凹槽。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：第二绝缘层，具有电容图形，位于所述第一绝缘层的上方，所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34