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本实用新型提供了一种半导体器件，属于半导体技术领域。该半导体器件包括：半导体衬底；第一绝缘层，位于所述半导体衬底上表面；存储节点接触塞，位于第一绝缘层内；浅凹槽，位于所述存储节点接触塞上方；第一电极层，具有电容图形，并覆盖所述浅凹槽的内壁；...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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