下载一种高驱动电流半浮栅晶体管及其制备方法的技术资料

文档序号:21093623

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本发明属于集成电路器件制造技术领域,具体为一种高驱动电流半浮栅晶体管及其制备方法。本发明半浮栅晶体管包括:Si衬底,形成于Si衬底中的U型槽;与Si衬底表面相接触的第一栅极叠层;第二栅极叠层;栅极侧墙,位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。

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