晶圆减薄工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种晶圆减薄工艺，涉及晶圆减薄的技术领域，包括以下程序：测量程序、数据处理程序和减薄程序，通过测量装置测量出晶圆的质量和厚度，数据处理装置根据晶圆的质量和厚度以及其他参数计算出晶圆减薄后的目标质量，同时计算出晶圆需要减薄掉的质量和需要腐蚀的时间，晶圆在化学腐蚀腔内按照计算出的腐蚀时间进行腐蚀，以实现对晶圆厚度的减薄，晶圆减薄的工艺分别包括多次腐蚀时间计算及其对应的多次腐蚀过程，直至减薄后的晶圆的质量与目标质量相符合，缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显，难以保证较高减薄精度的技术问题，优化了晶圆的化学减薄工艺，使得晶圆减薄精度的控制工艺更加严谨、科学。

Wafer thinning process

【技术实现步骤摘要】
晶圆减薄工艺
本专利技术涉及晶圆厚度减薄
，尤其是涉及一种晶圆减薄工艺。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状一般设置为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，从而成为具有特定电性功能的集成电路产品；在晶圆加工工艺中，晶圆通常要经过减薄后才能进行后续的刻蚀、化学沉积、电镀等加工工艺流程，常用的减薄工艺分为机械研磨、化学腐蚀和化学机械平坦化三种。晶圆化学腐蚀减薄工艺通过将晶圆放置在化学腐蚀液内，通过控制腐蚀时间或者其它工艺参数实现对晶圆特定厚度的减薄；现有的化学腐蚀减薄工艺通过厚度测量装置对减薄前后的晶圆的厚度进行测量，而后与目标厚度进行对比，进而判断化学腐蚀后的晶圆的厚度是否符合要求。但是，现有化学腐蚀减薄工艺仅通过厚度测量反馈来控制晶圆的减薄精度，且目前厚度测量设备分辨率较低，对于较高要求的减薄精度，现有减薄工艺很难实现，难以保证晶圆的减薄精度。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术总体
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆减薄工艺，以缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显，难以保证较高减薄精度的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案在于：本专利技术提供的晶圆减薄工艺，包括以下步骤：测量程序：移料机构将晶圆移动至测量装置中，以测量晶圆的质量和厚度；数据处理程序：数据处理装置根据晶圆的质量和厚度确定晶圆减薄后的目标质量，并计算出晶圆需要减薄的质量和需要腐蚀的时间；减薄程序：移料机构将测量装置中的晶圆移动至化学腐蚀装置，化学腐蚀装置按照晶圆需要腐蚀的时间进行腐蚀，以对晶圆的厚度进行减薄。进一步的，测量装置包括质量测量装置和厚度测量装置；质量测量装置和厚度测量装置均设置于晶圆减薄设备的机座上，质量测量装置设置于厚度测量装置的一侧，且质量测量装置和厚度测量装置均与晶圆减薄设备的机座连接。进一步的，测量程序包括以下步骤：移料机构将晶圆从上料装置移动至厚度测量装置，通过厚度测量装置测量晶圆的厚度；移料机构将晶圆从厚度测量装置移动至质量测量装置，通过质量测量装置测量晶圆的质量。进一步的，数据处理程序包括以下步骤：数据处理装置根据测得的晶圆的质量和厚度计算出晶圆减薄后的目标质量；数据处理装置根据晶圆减薄后的目标质量计算出晶圆需要减薄的质量；数据处理装置根据晶圆需要减薄的质量计算出晶圆需要减薄的时间。进一步的，减薄程序包括以下步骤：移料机构将质量测量装置中的晶圆移动至化学腐蚀装置；化学腐蚀装置按照晶圆需要腐蚀的时间进行腐蚀，以将晶圆的厚度减薄。进一步的，晶圆减薄工艺还包括以下步骤：判断程序：移料机构将减薄后的晶圆从化学腐蚀装置移动至质量测量装置，以测量减薄后的晶圆质量，数据处理装置将测得的晶圆质量和目标质量比较，以判断晶圆的减薄厚度是否合格。进一步的，晶圆减薄厚度还包括以下步骤：对减薄厚度不合格的晶圆重复进行减薄程序和判断程序，直至减薄后的晶圆质量符合目标质量要求。进一步的，晶圆减薄工艺还包括以下步骤：下料程序：移料机构将测量装置中的晶片移动至下料装置，以实现晶圆的自动下料。进一步的，晶圆减薄工艺还包括以下步骤：参数设定程序：将晶圆减薄后的目标厚度和晶圆的材料密度输入至数据处理装置内，以辅助确定晶圆减薄后的目标质量；上料程序：将晶圆放置于上料装置中，以固定晶圆的位置，以便移料机构将晶圆移动至测量装置。进一步的，化学腐蚀装置和数据处理装置均设置于晶圆减薄设备的机座上，腐蚀装置和测量装置均与数据处理装置电连接。结合以上技术方案，本专利技术达到的有益效果在于：本专利技术提供的晶圆减薄工艺，包括以下步骤：测量程序：移料机构将晶圆移动至测量装置中，以测量晶圆的质量和厚度；数据处理程序：数据处理装置根据晶圆的质量和厚度确定晶圆减薄后的目标质量，并计算出晶圆需要减薄的质量和需要腐蚀的时间；减薄程序：移料机构将测量装置中的晶圆移动至化学腐蚀装置，化学腐蚀装置按照晶圆需要腐蚀的时间进行腐蚀，以对晶圆的厚度进行减薄。通过测量装置，测量出晶圆的质量和厚度，数据处理装置根据晶圆的质量和厚度以及其他参数计算出晶圆减薄后的目标质量，同时计算出晶圆需要减薄掉的质量和需要腐蚀的时间，晶圆在化学腐蚀腔内按照计算出的腐蚀时间进行腐蚀，以实现对晶圆厚度的减薄，晶圆减薄的工艺分别包括多次腐蚀时间计算及其对应的多次腐蚀过程，直至减薄后的晶圆的质量与目标质量相符合，缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显，难以保证较高减薄精度的技术问题，优化了晶圆的化学减薄工艺，使得晶圆减薄精度的控制工艺更加严谨、科学。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚的说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的晶圆减薄工艺的工艺流程图；图2为本专利技术实施例提供的晶圆减薄工艺的结构示意图。图标：100-移料机构；200-测量装置；210-质量测量装置；220-厚度测量装置；300-化学腐蚀装置；400-上料装置。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体的连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。图1为本实施例提供的晶圆减薄工艺的工艺流程图；图2为本实施例提供的晶圆减薄工艺的结构示意图。如图1-2所示，本实施例提供了一种晶圆减薄工艺，包括以下步骤：测量程序：移料机构100将晶圆移动至测量装置200中，以测量晶圆的质量和厚度；数据处理程序：数据处理装置根据晶圆的质量和厚度确定晶圆减薄后的目标质量，并计算出晶圆需要减薄的质量和需要腐蚀的时间；减薄程序：移料机构100将测量装置200中的晶圆移动至化学腐蚀装置300，化学腐蚀装置300按照晶圆需要腐蚀的时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆减薄工艺，其特征在于，包括以下步骤：测量程序：移料机构将晶圆移动至测量装置中，以测量晶圆的质量和厚度；数据处理程序：数据处理装置根据晶圆的质量和厚度确定晶圆减薄后的目标质量，并计算出晶圆需要减薄的质量和需要腐蚀的时间；减薄程序：移料机构将测量装置中的晶圆移动至化学腐蚀装置，化学腐蚀装置按照晶圆需要腐蚀的时间进行腐蚀，以对晶圆的厚度进行减薄。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄工艺，其特征在于，包括以下步骤：测量程序：移料机构将晶圆移动至测量装置中，以测量晶圆的质量和厚度；数据处理程序：数据处理装置根据晶圆的质量和厚度确定晶圆减薄后的目标质量，并计算出晶圆需要减薄的质量和需要腐蚀的时间；减薄程序：移料机构将测量装置中的晶圆移动至化学腐蚀装置，化学腐蚀装置按照晶圆需要腐蚀的时间进行腐蚀，以对晶圆的厚度进行减薄。2.根据权利要求1所述的晶圆减薄工艺，其特征在于，所述测量装置包括质量测量装置和厚度测量装置；所述质量测量装置和所述厚度测量装置均设置于晶圆减薄设备的机座上，所述质量测量装置设置于所述厚度测量装置的一侧，且所述质量测量装置和所述厚度测量装置均与所述晶圆减薄设备的机座连接。3.根据权利要求2所述的晶圆减薄工艺，其特征在于，所述测量程序包括以下步骤：移料机构将晶圆从上料装置移动至厚度测量装置，通过厚度测量装置测量晶圆的厚度；移料机构将晶圆从厚度测量装置移动至质量测量装置，通过质量测量装置测量晶圆的质量。4.根据权利要求3所述的晶圆减薄工艺，其特征在于，所述数据处理程序包括以下步骤：数据处理装置根据测得的晶圆的质量和厚度计算出晶圆减薄后的目标质量；数据处理装置根据晶圆减薄后的目标质量计算出晶圆需要减薄的质量；数据处理装置根据晶圆需要减薄的质量计算出晶圆需要减薄的时间。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇威，周立庆，夏楠君，黄鑫亮，亢喆，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11