一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用。所述基于脉冲激光技术控制铌掺杂钛酸钡外延薄膜非化学配比的方法，包括如下步骤：利用脉冲激光轰击铌掺杂钛酸钡靶材，从而在基底沉积得到非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜。本发明专利技术选用非化学配比的方法较好的实现了钡元素和钛元素占比的调控，工艺简单，为制备不同性能需求的薄膜提出了新的研究思路。

【技术实现步骤摘要】
一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用
本专利技术属于半导体材料领域，具体涉及一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
氧化物半导体材料因其载流子迁移率高、制备温度低、电学均匀性好、对可见光透明和成本低等优势，被认为是最适合驱动有机发光二极管的薄膜晶体管(TFT)的半导体有源材料之一。目前氧化物TFT已成功地应用在平板显示的驱动背板上。钙钛矿氧化物是一种空间群为Pm3m的复合氧化物，简单立马结构，其通式为ABO3。由于钙钛矿材料丰富的物理机制及其在新型电子器件中的广阔应用前景，过去十年中基础研究领域在钙钛矿氧化物薄膜及其异质结体系中发现许多新奇的物理效应，上世纪初，BaTiO3（钛酸钡）等钙钛矿氧化物中发现铁电性开始，钙钛矿型氧化物材料开始走进人们的视线。钛酸钡是一种经典的铁电和介电材料，通过掺杂如Nb元素，取代Ti的位置，从而使其具有半导体性能。目前较为成熟的改变薄膜化学配比的技术方法主要是依赖于改变陶瓷或者单晶靶材的化学计量配比、化学气相沉积与原子层沉积改变元素源的流速或者配比、溶胶凝聚法中改变化学配比。这些技术制备薄膜的过程比较复杂，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于脉冲激光技术控制铌掺杂钛酸钡外延薄膜非化学配比的方法，其特征在于，包括如下步骤：利用脉冲激光轰击铌掺杂钛酸钡靶材，从而在基底沉积得到非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于脉冲激光技术控制铌掺杂钛酸钡外延薄膜非化学配比的方法，其特征在于，包括如下步骤：利用脉冲激光轰击铌掺杂钛酸钡靶材，从而在基底沉积得到非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述激光的能流密度为0.5~2.5j/cm2。3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述基底为氧化镁基底、钛酸锶基底、钪酸钆基底或钪酸镝基底。4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述沉积的温度为600~800℃。5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述铌掺杂钛酸钡靶材中铌掺杂的摩尔分数为25~50%。6.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述铌掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆旭兵，高栋，
申请(专利权)人：肇庆市华师大光电产业研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44