晶圆的清洗方法技术

本发明专利技术的晶圆清洗方法包括：提供包含旋转台和喷嘴的清洗机；将晶圆固定在所述旋转台上，所述喷嘴置于所述晶圆的上方并对准所述晶圆的中心；控制所述旋转台旋转，并控制所述喷嘴喷出氨水以清洗所述晶圆的中心；控制所述喷嘴自所述晶圆的中心沿直径方向在所述晶圆的一侧边缘和所述晶圆的另一侧边缘来回移动，以清洗所述晶圆；其中，所述氨水按照1L去离子水配400‑500mL氨的比例配制，所述氨水的温度为150‑190℃，所述旋转台的转速为700‑800rmp。该方法可高效、快速去除晶圆上的残留胶片，从而节省时间成本和人力成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的清洗方法
本专利技术涉及半导体清洗领域，尤其涉及一种晶圆的清洗方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路工艺的发展，半导体工艺已经进入了超深亚微米时代。工艺的发展使得将包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上，形成所谓的SoC(片上系统)。在集成电路的制造过程中，通常要在晶圆表面刻出图形，其中必不可少的要用到胶片来进行图形的显影成像，然后再去除胶片。传统的去除胶片的方法多是手工操作完成。先用氨水浸泡，然后通过海绵布沿着一个方向擦几次，使胶片溶解脱离晶圆表面。这种方法的缺点是：(1)浸泡时间需要用人工控制，如果时间过长，则损害晶圆表面，如果时间太短，则给后工序的去除造成麻烦；(2)生产率底下，且没有量化的标准，造成清洗的不彻底。因此，亟待一种改进的晶圆的清洗方法以去除表面的胶片。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种的晶圆的清洗方法，其能高效、快速去除晶圆上的残留胶片，从而节省时间成本和人力成本。为实现上述目的，本专利技术的晶圆的清洗方法，包括：提供包含旋转台和喷嘴的清洗机；将晶圆固定在所述旋转台上，所述喷嘴置于所述晶圆的上方并对准所述晶圆的中心；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的清洗方法，包括：提供包含旋转台和喷嘴的清洗机；将晶圆固定在所述旋转台上，所述喷嘴置于所述晶圆的上方并对准所述晶圆的中心；控制所述旋转台旋转，并控制所述喷嘴喷出氨水以清洗所述晶圆的中心；控制所述喷嘴自所述晶圆的中心沿直径方向在所述晶圆的一侧边缘和所述晶圆的另一侧边缘来回移动，以清洗所述晶圆；其特征在于：所述氨水按照1L去离子水配400‑500mL氨的比例配制，所述氨水的温度为150‑190℃，所述旋转台的转速为700‑800rmp。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的清洗方法，包括：提供包含旋转台和喷嘴的清洗机；将晶圆固定在所述旋转台上，所述喷嘴置于所述晶圆的上方并对准所述晶圆的中心；控制所述旋转台旋转，并控制所述喷嘴喷出氨水以清洗所述晶圆的中心；控制所述喷嘴自所述晶圆的中心沿直径方向在所述晶圆的一侧边缘和所述晶圆的另一侧边缘来回移动，以清洗所述晶圆；其特征在于：所述氨水按照1L去离子水配400-500mL氨的比例配制，所述氨水的温度为150-190℃，所述旋转台的转速为700-800rm...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海冰，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44