一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法技术

本发明专利技术提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。本发明专利技术所提供的半导体制造方法，采用弱酸溶液对氟掺杂硅氧化膜表面的晶体状缺陷进行清洗，能去除所述氟掺杂硅氧化膜表面产生的晶体状缺陷并进一步防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的继续生长。有效减少了晶圆表面氟离子的数量，使得清洗后的晶圆即使长时间暴露在含有水汽的环境中也不会形成晶体状缺陷，进而提高了晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法
本专利技术涉及半导体器件制造
，具体而言涉及一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，当表面淀积有氟掺杂硅氧化膜的晶圆暴露在含有水汽的环境中时，晶圆的表面容易形成晶状体的沉淀物，且随着时间的推移，沉淀物会越来越多，从而在硅氧化膜表面形成严重的晶体状缺陷，同时会腐蚀相邻的金属线，最终影响了晶圆的良率。为了减少晶体状缺陷的产生，目前的方法是尽可能缩短氟掺杂硅氧化膜淀积后后一道工序之间的等待时间(Q-time)，一般将该时间控制在3小时以内。然而，对于大批量生产而言，Q-time的长短是很难控制的，因此在实际应用中还是无法避免晶体状缺陷的产生。因此，有必要提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，以至少部分地解决目前所存在的问题。
技术实现思路
针对上述问题，一方面，本专利技术提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。在本专利技术的一个实施例中，所述弱酸溶液的PH值介于5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。

【技术特征摘要】
1.一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述弱酸溶液的PH值介于5-7之间。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述弱酸溶液的PH值介于6-7之间。4.根据权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述弱酸溶液为碳酸溶液。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁长亮，秦建宝，周硕，李伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31