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本发明提供一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜；以及采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。本发明所提供的半导体制造方法，采用弱酸溶液对氟掺杂硅氧化膜表面的晶...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。