薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备技术

本发明专利技术公开了一种薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备，通过采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理，可以将薄膜表面具有的物质刻蚀掉。采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致薄膜过度刻蚀的情况。这样采用臭氧水对经过清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，可以使薄膜表面形成致密且均匀的氧化层。从而在进行ELA工艺时，可以提高ELA工艺效果。

【技术实现步骤摘要】
薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备。
技术介绍
低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-siliconThinFilmTransistor，LTPSTFT)工艺中，通常会涉及将非晶硅(AmorphousSilicon，a-Si)经过准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing，ELA)工艺转变成多晶硅(PolycrystallineSilicon，p-Si)的过程。为了提高ELA工艺效果，一般在进行ELA工艺之前需要对非晶硅薄膜表面进行预处理，以使非晶硅薄膜表面生成一层氧化硅薄膜。然而，在进行预处理过程中，会使得非晶硅薄膜表面出现不同程度的不均匀的痕迹(即Mura)现象。该Mura的存在会导致生成的氧化硅薄膜的均匀性不佳，从而影响ELA工艺效果，进而对薄膜晶体管的性能造成不利影响。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备，用以解决现有技术中由于Mura的存在导致氧化硅薄膜的均匀性不佳的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种薄膜表面处理方法，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜表面处理方法，其特征在于，包括：采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理；采用清洗溶液对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理；采用臭氧水对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使所述薄膜表面形成氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜表面处理方法，其特征在于，包括：采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理；采用清洗溶液对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理；采用臭氧水对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使所述薄膜表面形成氧化层。2.如权利要求1所述的薄膜表面处理方法，其特征在于，在进行刻蚀处理之后，且进行清洗处理之前，还包括：采用化学性质不活泼的气体对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面进行干燥处理；和/或，在进行清洗处理后，且进行氧化处理之前，还包括：采用化学性质不活泼的气体对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行干燥处理。3.如权利要求1或2所述的薄膜表面处理方法，其特征在于，所述清洗溶液包括水溶液。4.如权利要求1或2所述的薄膜表面处理方法，其特征在于，在所述采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理之前，还包括：采用所述臭氧水对所述薄膜表面的杂质进行去除处理。5.一种薄膜表面处理设备，其特征在于，包括：氢氟酸刻蚀腔室、氢氟酸清洗腔室、臭氧氧化腔室以及承载基台；其中，所述氢氟酸刻蚀腔室的出口与所述氢氟酸清洗腔室的入口连接，所述氢氟酸清洗腔室的出口与所述臭氧氧化腔室的入口连接，所述承载基台贯穿所述氢氟酸刻蚀腔室及其出口、贯穿所述氢氟酸清洗腔室及其入口和出口，以及贯穿所述臭氧氧化腔室及其入口；所述承载基台用于承载形成有所述薄膜的衬底基板；所述氢氟酸刻蚀腔室用于采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理；所述氢氟酸清洗腔室用于采用清洗溶液对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理；所述臭氧氧化腔室用于采用臭氧水对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使所述薄膜表面形成氧化层。6.如权利要求5所述的薄膜表面处理设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓治国，王振，晏熙，郭昭，李发业，黄超，刘杰，刘岩，李显杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11