三维存储器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种三维存储器，包括半导体衬底、堆叠层、多个接触部以及一个或多个栅极隔槽。堆叠层位于所述衬底上并且包括间隔设置的字线。所述多个接触部的每个接触部在垂直于所述半导体衬底的方向上穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的字线接触，且每个接触部的侧壁和被所述每个接触部贯穿的字线之间电隔离。所述一个或多个栅极隔槽垂直延伸通过所述堆叠层。本实用新型专利技术的三维存储器可以克服字线连接区的刻蚀缺陷和接触部对准等问题。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器
本技术主要涉及半导体器件，尤其涉及一种三维存储器。
技术介绍
为了克服二维存储器的限制，业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储器，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。在例如3DNAND闪存的三维存储器中，存储阵列可包括核心(core)区和阶梯(stairstep,SS)区。阶梯区用来供存储阵列各层中的控制栅引出接触部，作为字线连接区。这些控制栅作为存储阵列的字线，执行编程、擦写、读取等操作。在3DNAND闪存的制作过程中，在阶梯区的各级阶梯结构上刻蚀形成接触孔，然后填充接触部，从而引出控制栅的电信号。在实际生产过程中，接触孔恰好落在阶梯结构并不容易实现。刻蚀不全(Underetch)或刻蚀穿通(PunchThrough)是普遍发生的缺陷。另一方面，阶梯区的形成过程中，保持各个阶梯结构的特征尺寸的一致性，以及接触部与阶梯结构的对准也非常关键。接触部偏离对应的阶梯结构也是普遍发生的缺陷。
技术实现思路
本技术提供一种三维存储器，可以克服字线连接区的刻蚀缺陷和接触部对准等问题。本技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提出一种三维存储器，包括半导体衬底、堆叠层、多个接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于包括：半导体衬底；堆叠层，位于所述衬底上并且包括间隔设置的字线；多个接触部，所述多个接触部的每个接触部在垂直于所述半导体衬底的方向上穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的字线接触，且每个接触部的侧壁和被所述每个接触部贯穿的字线之间电隔离；一个或多个栅极隔槽，垂直延伸通过所述堆叠层。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于包括：半导体衬底；堆叠层，位于所述衬底上并且包括间隔设置的字线；多个接触部，所述多个接触部的每个接触部在垂直于所述半导体衬底的方向上穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的字线接触，且每个接触部的侧壁和被所述每个接触部贯穿的字线之间电隔离；一个或多个栅极隔槽，垂直延伸通过所述堆叠层。2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠层的上表面是平整的。3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，每个所述字线沿字线方向连续地延伸。4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述衬底中具有第一掺杂类型的深阱。5.如权利要求1所述的三维存储器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42