温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种三维存储器，包括半导体衬底、堆叠层、多个接触部以及一个或多个栅极隔槽。堆叠层位于所述衬底上并且包括间隔设置的字线。所述多个接触部的每个接触部在垂直于所述半导体衬底的方向上穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的字线接触，且每个...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。