一种阵列基板及显示面板制造技术

技术编号:21068313 阅读:37 留言:0更新日期:2019-05-08 11:39
本实用新型专利技术公开了一种阵列基板,包括基层、栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、第一刻蚀阻挡层以及源漏层;栅极设于基层上;栅极绝缘层至少覆盖于栅极上;半导体有源层设于栅极绝缘层远离栅极的一侧;第一刻蚀阻挡层设于半导体有源层远离栅极绝缘层的一侧,半导体有源层的两端相对于第一刻蚀阻挡层外露;源漏层包括源极和漏极,源极和漏极分别覆盖于第一刻蚀阻挡层的两端,源漏层并至少覆盖半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层外露的端部。半导体有源层的两端外露,源漏层覆盖于该外露部位之上,也即源漏层可以位于半导体有源层的边缘,此时源极和漏极的间距得以增大,使其与栅极的重叠面积减小,减小了源漏层与栅极之间产生的寄生电容。

An Array Substrate and Display Panel

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板
本技术涉及显示设备领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
随着显示科技的日渐进步,平板显示成为人们不可缺少的必备品之一。主动式液晶显示器包括主动阵列基板,彩色滤光片基板以及与位于两基板之间的液晶层所构成。有机发光二极管显示器主要由主动阵列基板和有机发光二极管组成。两种显示方式均需要有稳定可靠的阵列基板。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)是阵列基板的主要功能器件,制作TFT时,通常在刻蚀阻挡层上采用挖孔的方式,使半导体有源层部分露出,然后源漏极局部贯穿刻蚀阻挡层上的孔与半导体有源层的中部区域搭接,这样,源极和漏极与半导体有源层下方的栅极的重叠区域较大,会导致薄膜晶体管的寄生电容较大,不利于制作大尺寸高分辨显示器。
技术实现思路
本技术的一个目的在于提供一种阵列基板,旨在解决阵列基板的寄生电容较大的问题。为达此目的,本技术采用以下技术方案:一种阵列基板,包括:基层;栅极,所述栅极设于所述基层上;栅极绝缘层,至少覆盖于所述栅极上;半导体有源层,所述半导体有源层设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧;第一刻蚀阻挡层,所述第一刻蚀阻挡层设于所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基层;栅极,所述栅极设于所述基层上;栅极绝缘层,至少覆盖于所述栅极上;半导体有源层,所述半导体有源层设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧;第一刻蚀阻挡层,所述第一刻蚀阻挡层设于所述半导体有源层远离所述栅极绝缘层的一侧,所述半导体有源层的两端相对于所述第一刻蚀阻挡层外露;以及源漏层,包括源极和漏极,分别覆盖于所述第一刻蚀阻挡层的两端,并至少覆盖所述半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层外露的端部。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基层;栅极,所述栅极设于所述基层上;栅极绝缘层,至少覆盖于所述栅极上;半导体有源层,所述半导体有源层设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧;第一刻蚀阻挡层,所述第一刻蚀阻挡层设于所述半导体有源层远离所述栅极绝缘层的一侧,所述半导体有源层的两端相对于所述第一刻蚀阻挡层外露;以及源漏层,包括源极和漏极,分别覆盖于所述第一刻蚀阻挡层的两端,并至少覆盖所述半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层外露的端部。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括保护层,所述保护层覆盖所述源漏层,所述保护层并至少覆盖所述第一刻蚀阻挡层相对所述源漏层外露的部位。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述保护层还覆盖所述栅极绝缘层相对于所述半导体有源层和所述源漏层外露的部位。4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述半导体有源层为非晶硅半导体有源层、多晶硅半导体有源层或氧化物半导体有源层。5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:第二刻蚀阻挡层,所述第二刻蚀阻挡层设于所述栅极绝缘层上,与所述第一刻蚀阻挡层及半导体有源层间隔设置,与所述栅极相互错位。6...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄北洲
申请(专利权)人:惠科股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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