一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括P+sub区域，P+sub区域上由内向外依次设置有P+扩区区域、N+扩区区域、N‑Epi区域、P+环区域、trench1区域和trench2区域；其中trench1区域采用SiO2填充作隔离使用，trench2区域采用多晶填充作电连接使用。本实用新型专利技术设计合理，利用深槽互连实现了纵向泄放，表面互连的SCR器件，该器件电容相对于CMOS结构器件具有更低电容特性，而且由于是单元包结构，器件更容易集成实现多路保护。

A Low Residual Voltage ESD Surge Protection Device with Double Trench Structure

【技术实现步骤摘要】
一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件
本技术属于半导体元器件装置，更具体地说，涉及一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件。
技术介绍
随着IC特征尺寸的不断降低，主控IC耐压能力进一步降低，为了能够确保ESD保护效果，低残压保护器件被不断开发出来，SCR结构保护器件就是其中的典型产品，然而由于结构比较复杂，工艺差异很大，不管借用现有的哪种工艺平台都需要用特有的工艺去加工。考虑到工艺限制，产线不一定都有台面刻槽工艺，为了实现高度集成的SCR保护器件，本专利技术引入了一种新的工艺结构来实现SCR器件。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供了一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，设计合理，利用深槽互连实现了纵向泄放，表面互连的SCR器件，该器件电容相对于CMOS结构器件具有更低电容特性，而且由于是单元包结构，器件更容易集成实现多路保护。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，其特征在于：包括P+sub区域，P+sub区域上由内向外依次设置有P+扩区区域、N+扩区区域、N-Epi区域、P+环区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，其特征在于：包括P+sub区域，P+sub区域上由内向外依次设置有P+扩区区域、N+扩区区域、N‑Epi区域、P+环区域、trench1区域和trench2区域；其中trench1区域采用SiO2填充作隔离使用，trench2区域采用多晶填充作电连接使用。

【技术特征摘要】
1.一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，其特征在于：包括P+sub区域，P+sub区域上由内向外依次设置有P+扩区区域、N+扩区区域、N-Epi区域、P+环区域、trench1区域和trench2区域；其中trench1区域采用SiO2填充作隔离使用，tren...

【专利技术属性】
技术研发人员：张猛，梁令荣，黄俊，
申请(专利权)人：伯恩半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44