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本实用新型公开了一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括P+sub区域，P+sub区域上由内向外依次设置有P+扩区区域、N+扩区区域、N‑Epi区域、P+环区域、trench1区域和trench2区域；其中trench1区域采...
该专利属于伯恩半导体（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过伯恩半导体（深圳）有限公司授权不得商用。

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