掺杂具有导电部件的半导体器件制造技术

本发明专利技术通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明专利技术的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。

Semiconductor Devices Doped with Conductive Components

【技术实现步骤摘要】
掺杂具有导电部件的半导体器件
本专利技术的实施例涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。
技术介绍
随着集成电路尺寸减小，硅化物区域以及接触插塞和硅化物区域之间的接触件也变得越来越小。因此，接触电阻可能变得越来越高。例如，在鳍式场效应晶体管(FinFET)中，鳍非常窄，导致接触件与鳍之间的接触面积非常小。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件结构，包括：晶体管的有源区域，所述有源区域包括源极/漏极区域，所述源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定，所述源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，所述第二掺杂剂的浓度分布具有从所述源极/漏极区域的表面至所述源极/漏极区域的深度的一致浓度，所述一致浓度大于所述第一掺杂剂浓度；以及导电部件，在所述源极/漏极区域的表面处接触所述源极/漏极区域。本专利技术的另一实施例提供了一种半导体器件结构，包括：衬底，包括鳍，所述鳍具有源极/漏极区域，所述源极/漏极区域包括含锗材料，所述源极/漏极区域还包括镓浓度的分布，所述分布在所述源极/漏极区域的表面处具有平台，并且从所述平台至所述源极/漏极区域降低；栅极结构，位于所述鳍上方；硅化物区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件结构，包括：晶体管的有源区域，所述有源区域包括源极/漏极区域，所述源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定，所述源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，所述第二掺杂剂的浓度分布具有从所述源极/漏极区域的表面至所述源极/漏极区域的深度的一致浓度，所述一致浓度大于所述第一掺杂剂浓度；以及导电部件，在所述源极/漏极区域的表面处接触所述源极/漏极区域。

【技术特征摘要】
2017.10.30 US 15/797,7031.一种半导体器件结构，包括：晶体管的有源区域，所述有源区域包括源极/漏极区域，所述源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定，所述源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，所述第二掺杂剂的浓度分布具有从所述源极/漏极区域的表面至所述源极/漏极区域的深度的一致浓度，所述一致浓度大于所述第一掺杂剂浓度；以及导电部件，在所述源极/漏极区域的表面处接触所述源极/漏极区域。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述有源区域包括鳍，并且所述晶体管是鳍式场效应晶体管(FinFET)。3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述源极/漏极区域包括含锗材料，并且所述第二掺杂剂包括含镓物质。4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述深度为至少10nm。5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述深度为至少5nm。6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述一致浓度大于1x1021cm-3。7.根据权利要求1所述的半导体器件结...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘书豪，张惠政，陈佳政，陈亮吟，陈国儒，吴浚宏，刘昌淼，杨怀德，谭伦光，游伟明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71