一种半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法，该器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；至少在所述源极区中形成有第一掺杂类型轻掺杂区以及位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内的第一掺杂类型重掺杂区和第二掺杂类型掺杂区。本发明专利技术提供的半导体器件具有较低的次临界摆幅，减小了漏电流，降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点。然而，在深亚微米级工艺中，CMOS电路中阈值电压的降低、沟道长度的缩短以及栅极介电层厚度的减小均会导致严重的漏电流。在半导体
中，漏电流(leakagecurrent)现象将导致半导体器件的功耗(powerdissipation)增加，同时降低了器件的稳定性和可靠性。因此，有必要提出一种新的半导体器件，以解决上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；至少在所述源极区中形成有第一掺杂类型轻掺杂区以及位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内的第一掺杂类型重掺杂区和第二掺杂类型掺杂区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；至少在所述源极区中形成有第一掺杂类型轻掺杂区以及位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内的第一掺杂类型重掺杂区和第二掺杂类型掺杂区。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一掺杂类型重掺杂区与所述第二掺杂类型掺杂区相邻设置；或者，所述第二掺杂类型掺杂区位于所述第一掺杂类型重掺杂区内。3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一掺杂类型掺杂包括N型掺杂且所述第二掺杂类型掺杂包括P型掺杂；或者，所述第一掺杂类型掺杂包括P型掺杂且所述第二掺杂类型掺杂包括N型掺杂；其中，所述P型掺杂离子包括B离子或In离子，所述N型掺杂包括P离子或As离子。4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一掺杂类型重掺杂区与所述第二掺杂类型掺杂区构成稳压二极管。5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二掺杂类型掺杂区的掺杂浓度高于所述第一掺杂类型重掺杂区的掺杂浓度。6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一掺杂类型重掺杂区的掺杂浓度大于1E14atom/cm2。7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一掺杂类型轻掺杂区掺杂浓度为8E12atom/cm2-1.2E13atom/cm2。8.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体器件包括低亚阈值电压摆幅器件。9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；执行第一离子注入，以在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成第一掺杂类型重掺杂区；执行第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，刘建朋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31