半导体器件和制造方法技术

一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽。至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽中的每个从半导体层的第一主表面延伸。沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，并且沟槽至少部分地填充有与掺杂区域接触的导电材料。浅沟槽终止于半导体层中，并且深沟槽终止于半导体衬底中。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和制造方法
本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。具体地，本公开涉及半导体电涌保护装置/器件和相关的制造方法。
技术介绍
诸如电气过应力或瞬态脉冲之类的电涌是电子装置损坏的常见原因。为了防止这种瞬态浪涌，电子装置通常由浪涌保护装置保护。这种装置提供防止对电气过应力的保护，并且通常用于便携式/消费电子装置，例如个人计算机、音频和视频设备或移动电话。在浪涌保护应用中，分立的各二极管通常用于耗散掉不需要的能量，并且在浪涌事件期间，它们可能需要承受高电流和/或高电能。这种分立的二极管通常由布置在块体半导体材料中的双极结形成。这种器件还可以包括：用于安装块体半导体材料的框架；用于接触块体半导体材料上的各接触的接合线或引线夹。通常，利用所谓的浅扩散区在块体半导体材料的顶部上实现各二极管，其中，块体的掺杂与扩散的掺杂相反，并且扩散区与金属接触。另一种接触通常是与块体的接触。块体接触可以在晶体的与浅扩散区的同一侧上，或者与晶体背面上的块体半导体材料的顶部相对。这种分立二极管的最大功耗能力受到分立二极管的结处的最大电流密度的限制，并且器件中的最大功耗取决于二极管的串联电阻。器件的串联电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽，所述至少一个浅沟槽和所述至少一个深沟槽中的每个从所述半导体层的第一主表面延伸，其中所述沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，且所述沟槽至少部分地填充有与掺杂区接触的导电材料；其中，浅沟槽终止于所述半导体层中，并且深沟槽终止于所述半导体衬底中。

【技术特征摘要】
2017.10.23 EP 17197795.21.一种半导体器件，包括：半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽，所述至少一个浅沟槽和所述至少一个深沟槽中的每个从所述半导体层的第一主表面延伸，其中所述沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，且所述沟槽至少部分地填充有与掺杂区接触的导电材料；其中，浅沟槽终止于所述半导体层中，并且深沟槽终止于所述半导体衬底中。2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括浅沟槽和深沟槽的交替结构。3.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，还包括第一电接触，所述第一电接触形成为电连接到所述至少一个浅沟槽的导电材料。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一电接触形成在所述半导体层的第一主表面上。5.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，还包括：形成布置在所述半导体衬底的与所述第一主表面相对的第二主表面上的第二电接触。6.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中，所述衬底是第一导电类型，所述半导体层是第二导电类型，并且所述掺杂沟槽区是第一导电类型。7.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中，额外的隔离层布置在衬底与所述半导体层之间。8.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成半导体层；形成至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽，所述至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽中的每个从所述半导体层的第一主表面延伸，...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯特芬·霍兰，Z·潘，约亨·韦南茨，汉斯马丁·里特，托比亚斯·斯普罗杰斯，托马斯·伊格尔霍尔特岑多夫，沃尔夫冈·施尼特，约阿希姆·乌茨格，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL