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一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽。至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽中的每个从半导体层的第一主表面延伸。沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，并且沟槽至少部...
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