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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；至少在所述源极区中形成有第一掺杂类型轻掺杂区以及位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内的第一掺杂类型重...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。