半导体器件制造技术

本公开提供一种半导体器件，属于半导体技术领域。其中该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上定义出第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向具有不为零的夹角；第一隔离结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第一方向分布；第二隔离结构和埋入式栅极字线结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第二方向分布；其中所述第一隔离结构和所述埋入式栅极字线结构均是利用自对准技术形成。本公开由于埋入式栅极字线结构通过自对准技术实现，可以避免发生位置偏移，提升半导体器件的可靠度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)是计算机中常用的半导体器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管；晶体管的栅极与字线相连、源极与位线相连、漏极与电容器相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。随着技术的发展，DRAM的线宽越来越小，器件集成度也越来越高，栅极之间的距离不断缩小，这会带来一些问题，比如电容的泄露、相邻两个栅极之间的干扰等，这些问题均会对器件性能产生影响。埋入式栅极字线连结(BuriedWordline)技术不同于传统的沟槽式(Trench)技术，具有效能、低功耗和小尺寸芯片等特点。但是目前埋入栅极都是用光刻技术进行定位来曝光显影的，这可能会出现曝光偏差。因此，现有技术的技术方案加工难度大，对准时容易出现偏差，还存在有待改进之处。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上定义出第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向具有不为零的夹角；第一隔离结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第一方向分布；第二隔离结构和埋入式栅极字线结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第二方向分布；其中所述第一隔离结构利用自对准技术形成，所述埋入式栅极字线结构利用以所述第二隔离结构为基准的自对准技术形成。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上定义出第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向具有不为零的夹角；第一隔离结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第一方向分布；第二隔离结构和埋入式栅极字线结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第二方向分布；其中所述第一隔离结构利用自对准技术形成，所述埋入式栅极字线结构利用以所述第二隔离结构为基准的自对准技术形成。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构的深度为150～200纳米，宽度为15～20纳米。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，相邻的两...

【专利技术属性】
技术研发人员：宛伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34