一种半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个鳍片；在所述鳍片之间的间隙内形成隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面，以露出所述鳍片的一部分；对露出的所述鳍片的侧壁执行第一离子注入；蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁，以减小所述鳍片的露出部分的宽度；对露出的所述鳍片执行第二离子注入，以在所述鳍片内形成缓冲扩散层。根据本发明专利技术提供的半导体器件的制作方法，通过对鳍片的侧壁执行第一离子注入后蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁以减小其宽度，然后对露出的所述鳍片执行第二离子注入以在所述鳍片内形成缓冲扩散层，从而克服短沟道效应、避免结泄露，提高了半导体器件的性能和良率。

A Semiconductor Device and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，集成电路尤其是超大规模集成电路中的主要器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的几何尺寸一直在不断缩小，半导体器件的特征尺寸已经缩小到纳米级别。半导体器件在这种特征尺寸下，传统平面制作半导体器件的方法无法适用了。于是人们提出了各种新型的半导体器件结构，其中鳍式场效应晶体管(FinFET)是用于22nm及以下工艺节点的先进半导体器件结构，相对于现有的平面晶体管，FinFET在沟道控制以及降低短沟道效应等方面具有更加优越的性能。然而随着鳍式场效应晶体管(FinFET)的关键尺寸缩小至7nm～14nm工艺节点，短沟道效应(SCE)越来越严重，利用掺杂工艺对短沟道效应的控制也成为其越来越大的挑战。为了克服这个问题，半导体制造过程中尝试各种制造工艺，如超浅结、突变结、预非晶化注入(PAI)、应力技术等用于优化LDD和halo掺杂轮廓以改善器件性能，但是在性能和短沟道效应之间取得平衡越来越成为一个大问题，同时，这些方法都不能完全消除短沟道效应。此外，对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个鳍片；在所述鳍片之间的间隙内形成隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面，以露出所述鳍片的一部分；对露出的所述鳍片的侧壁执行第一离子注入；蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁，以减小所述鳍片的露出部分的宽度；对露出的所述鳍片执行第二离子注入，以在所述鳍片内形成缓冲扩散层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个鳍片；在所述鳍片之间的间隙内形成隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面，以露出所述鳍片的一部分；对露出的所述鳍片的侧壁执行第一离子注入；蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁，以减小所述鳍片的露出部分的宽度；对露出的所述鳍片执行第二离子注入，以在所述鳍片内形成缓冲扩散层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成多个鳍片的步骤包括：在所述半导体衬底上形成具有鳍片图案的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻去除部分所述半导体衬底，以形成多个鳍片。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述鳍片之间的间隙内形成所述隔离结构的步骤包括：沉积隔离材料层，以完全填充所述鳍片之间的间隙；回刻蚀所述隔离材料层，以形成隔离结构。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在执行第二离子注入后还包括去除所述硬掩膜层以及执行第三离子注入以调节阈值电压的步骤。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入注入的离子包括碳离子和硼离子、或者碳离子和磷离子。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入角度为0°～5°，离子注入的能量为5keV～20keV，离子注...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31