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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个鳍片；在所述鳍片之间的间隙内形成隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面，以露出所述鳍片的一部分；对露出的所述鳍片的侧壁执行第一离子注入；蚀...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。