一种多晶硅还原炉尾气输送结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种多晶硅还原炉尾气输送结构，包括炉体，所述炉体内竖直或倾斜设置有中空管，所述中空管从炉体底部穿出并与设置在炉体外的排气管连通；所述中空管侧壁设有通孔。通过在还原炉底部设置带通孔的中空管，将副产物阻隔在排气管路外，并靠中空管侧壁上的通孔通气，保持了还原炉尾气的正常排放。

A Tail Gas Conveying Structure for Polycrystalline Silicon Reduction Furnace

The utility model discloses a tail gas conveying structure of a polycrystalline silicon reduction furnace, which comprises a furnace body. The furnace body is vertically or obliquely provided with a hollow tube, which passes through the bottom of the furnace body and connects with the exhaust pipe arranged outside the furnace body. The side wall of the hollow tube is provided with a through hole. By installing hollow tubes with through holes at the bottom of the reduction furnace, the by-products are blocked out of the exhaust pipeline and ventilated by the through holes on the side wall of the hollow tubes, thus maintaining the normal discharge of the tail gas of the reduction furnace.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉尾气输送结构
本技术涉及多晶硅生产设备，具体涉及一种多晶硅还原炉尾气输送结构。
技术介绍
多晶硅是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业的基础原料。现有技术中广泛采用改良西门子法制备多晶硅。其主要过程为三氯硅烷和氢气等工艺气体经进气管进入还原炉后发生还原反应，生成硅单质沉积在硅芯电极上。由于还原炉内的反应温度、组分比例和炉内压力等情况复杂，生产过程中往往伴随副反应并生成多种成分复杂的副产物。大量未充分反应的原料气体及副产物随着尾气的排出一并从还原炉的出口输送到下一工序。问题在于，尾气出口通常设置于还原炉底部，未及时反应的原料气体夹杂着副产物从尾气出口流出，容易堵塞管路，导致尾气排放不畅。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供一种多晶硅还原炉尾气输送结构，通过在还原炉底部设置带通孔的中空管，将副产物阻隔在排气管路外，并靠中空管侧壁上的通孔通气，保持了还原炉尾气的正常排放。为解决以上技术问题，本技术提供的技术方案是一种多晶硅还原炉尾气输送结构，包括炉体，所述炉体内竖直或倾斜设置有中空管，所述中空管从炉体底部穿出并与设置在炉体外的排气管连通；所述中空管侧壁设有通孔。优选的，所述中空管顶部设有凹槽，保护盖通过所述凹槽活动设置在中空管上。优选的，所述保护盖上设置有镂空结构。优选的，所述中空管为氮化硅材质的中空管。优选的，所述保护盖为氮化硅材质的保护盖。优选的，所述中空管设置在炉体底部的中心；所述通孔数量不少于两个，关于中空管的轴线呈轴对称设置。优选的，相邻所述通孔等间距设置。优选的，所述通孔形状为圆孔、腰型孔和椭圆孔中的至少一种。本申请与现有技术相比，其有益效果为：中空管竖直或倾斜设置，使中空管侧壁上的通孔比炉体的底部相对高度更高，当副产物被阻挡沉积在中空管周围时，也不易将通孔阻塞，维持了中空管的正常排气作用。当中空管的顶部活动设置保护盖，使用时可避免反应副产物或其它碎块直接落入中空管。在使用一段时间后，将保护盖取下，能够更加方便彻底地对中空管进行清洗。保护盖上设置的镂空结构类似与设置在中空管侧壁的通孔，在起到保护作用的同时增加了排气孔的数量，保证了尾气排放的通畅。在多晶硅的生产过程中，除了硅棒上，还原炉中的其他位置上也会逐渐沉积出硅单质。沉积在中空管上的硅单质会使得通孔逐渐变小，影响正常排气，因此需要定期用碱液清洗中空管。氮化硅材质的中空管在碱液中清洗时不会被腐蚀，相比于金属材质的管路具有更长的使用寿命。在本实施例中，保护盖为氮化硅材质，在清洗中空管时一并清洗即可，不会被清洗硅单质时使用的碱液腐蚀。保护盖从中空管上取下后外形较为规整，且易于替换，所以在其他实施例中，保护盖也可以采用更廉价的材质。中空管设置在炉体中心，因此中空管上的通孔也关于中心对称，从而使得从各个通孔经过的气体流量趋于相等。相邻通孔等间距设置，炉中气体的排放更平均高效。通孔设置为圆孔、腰型孔或椭圆孔中的一种，不会在结构上留下死角，便于清洗得更加干净彻底。附图说明图1为本技术多晶硅还原炉尾气输送结构的结构示意图；图2为本技术多晶硅还原炉尾气输送结构的中空管和保护盖的结构示意剖视图；图3为本技术多晶硅还原炉尾气输送结构的保护盖的轴测视图。附图标记：炉体1、中空管2、通孔21、凹槽22、排气管3、保护盖4、镂空结构41。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。请参考图1-3，本技术实施例提供一种多晶硅还原炉尾气输送结构，包括炉体1，炉体1底部的中心竖直设置有氮化硅材质的中空管2，中空管2从炉体1底部穿出并与设置在炉体1外的排气管3连通；中空管2侧壁设有不少于两个腰型孔形状的通孔21，通孔21关于中空管2的轴线呈轴对称设置，相邻通孔21等间距设置。中空管2顶部设有凹槽22；氮化硅材质的保护盖4通过凹槽22活动设置在中空管2上，保护盖4上设置有镂空结构。还原炉运行时，炉体1中的尾气从中空管2侧壁上的通孔21和保护盖4上的镂空结构41流入并通过排气管3输送到后续工序设备。随着还原炉的使用，硅单质逐渐在中空管2上沉积，导致通孔21和镂空结构41的孔径变小，排气效果变差。将中空管2和保护盖4拆下，直接通过碱液进行清洗掉上面的单晶硅，由于中空管2和保护盖4为氮化硅材质，所以不会被碱液腐蚀，晾晒后即可重新装入还原炉中继续使用。以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本技术的限制，本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅还原炉尾气输送结构，包括炉体，其特征在于，所述炉体内竖直或倾斜设置有中空管，所述中空管从炉体底部穿出并与设置在炉体外的排气管连通；所述中空管侧壁设有通孔。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉尾气输送结构，包括炉体，其特征在于，所述炉体内竖直或倾斜设置有中空管，所述中空管从炉体底部穿出并与设置在炉体外的排气管连通；所述中空管侧壁设有通孔。2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉尾气输送结构，其特征在于，所述中空管顶部设有凹槽，保护盖通过所述凹槽活动设置在中空管上。3.如权利要求2所述的多晶硅还原炉尾气输送结构，其特征在于，所述保护盖上设置有镂空结构。4.如权利要求2所述的多晶硅还原炉尾气输送结构，其特征在于，所述中空管为...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，刘晓彬，周维维，
申请(专利权)人：四川永祥多晶硅有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51